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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > DMN3300UQ-7

DMN3300UQ-7 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/16 14:24:34 查看 閱讀�22

DMN3300UQ-7 是一款來� Diodes Incorporated � N 溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET�,采用超小型 MicroFET 封裝。這種器件�(shè)�(jì)用于低電�、低�(dǎo)通電阻的�(yīng)用場(chǎng)合,適合在便攜式�(shè)備和空間受限的環(huán)境中使用�
  該器件具有出色的開關(guān)性能和較低的�(dǎo)通電阻,適用于負(fù)載開�(guān)、DC/DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及電池供電�(shè)備等�(yīng)用領(lǐng)��

參數(shù)

型號(hào):DMN3300UQ-7
  封裝:DSN2020-7 (MicroFET)
  Vds(漏源極擊穿電壓):30V
  Rds(on)(導(dǎo)通電�,典型值)�18mΩ @ Vgs=4.5V
  最大連續(xù)漏極電流 Id�3.9A @ Tc=25°C
  柵極電荷 Qg�3nC(典型值)
  工作溫度范圍�-55°C � +150°C
  功耗:1.6W

特�

DMN3300UQ-7 具有以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電�,能夠有效降低功率損�,提高系�(tǒng)效率�
  2. 小尺寸封裝,有助于節(jié)� PCB 空間,非常適合便攜式電子�(chǎn)��
  3. 高開�(guān)速度,可�(shí)�(xiàn)高效的電源管��
  4. 提供�(yōu)異的熱性能,能夠在高溫�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�
  6. 支持表面貼裝技�(shù)(SMT�,便于自�(dòng)化生�(chǎn)�
  這款 MOSFET 的綜合性能使其成為眾多低壓�(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

DMN3300UQ-7 廣泛�(yīng)用于以下�(chǎng)景:
  1. 手機(jī)和平板電腦中的負(fù)載開�(guān)�
  2. USB 端口保護(hù)電路�
  3. 電池供電�(shè)備中� DC/DC �(zhuǎn)換器�
  4. 小型電機(jī)�(qū)�(dòng)電路�
  5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品的電源管理模塊�
  6. 可穿戴設(shè)備和其他空間受限的應(yīng)用環(huán)��
  其低�(dǎo)通電阻和高效率使� DMN3300UQ-7 成為這些�(yīng)用中的關(guān)鍵組��

替代型號(hào)

DMN3020UFG-7, DMN3023UFG-7

dmn3300uq-7推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

dmn3300uq-7參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�42,000Factory查看交期
  • �(jià)�3,000 : �0.90491卷帶(TR�
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�30 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)1.5A(Ta�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�1.5V�4.5V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)150 毫歐 @ 4.5A�4.5V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)1V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)-
  • Vgs(最大值)±12V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)193 pF @ 10 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)700mW
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�SOT-23-3
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3