DMN3350LDWQ是一款由Diodes公司生產的MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),采用SOT26封裝。該器件屬于邏輯電平驅動的P溝道增強型MOSFET,適用于低電�、高效率開關應用。其設計�(yōu)化了導通電阻和柵極電荷,能夠在電池供電設備和消費類電子中提供優(yōu)異的性能�
DMN3350LDWQ的工作電壓范圍寬�,具有較低的導通電�,同時具備快速開關能�,因此非常適合于負載開關、電源管理以及便攜式設備中的電源路徑控制�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�-1.8A
導通電阻(典型值)�0.19Ω
柵極-源極電壓�-1.8V to 0V
功耗:420m55°C to 150°C
封裝類型:SOT26
DMN3350LDWQ具有以下顯著特性:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)),在低電壓下表現出�,能夠減少功率損耗并提升系統效率�
2. 小尺寸SOT26封裝,適合空間受限的應用場合�
3. 快速開關速度,降低開關損�,提高高頻操作下的性能�
4. 寬泛的工作電壓范�,適用于多種電源管理場景�
5. 高可靠性,在高溫環(huán)境下仍能保持�(wěn)定運��
6. 符合RoHS標準,綠色環(huán)��
DMN3350LDWQ廣泛應用于以下領域:
1. 負載開關:用于筆記本電腦、平板電腦及智能手機等便攜式設備中的電源分配�
2. 電源管理:在DC/DC轉換�、降壓升壓電路以及電池充電保護電路中�(fā)揮關鍵作��
3. 電機驅動:為小型直流電機提供高效的驅動和控制功能�
4. 開關調節(jié)器:作為功率級元件參與構建高效的開關模式電源解決方案�
5. 保護電路:用作過流保�、短路保護等功能模塊的核心組��
DMN2990USG, DMN2990DG, BSS138