DMN33D8LDWQ 是一款由 Diodes 公司生產(chǎn)� N 溝道邏輯電平增強(qiáng)� MOSFET。該器件采用小型化的 LFPAK56L 封裝,具有低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)性能,適用于高效率功率轉(zhuǎn)換和�(fù)載切換等�(yīng)用�
DMN33D8LDWQ 的設(shè)�(jì)使其非常適合需要低功�、高頻率操作的場(chǎng)�,并且其出色的熱性能允許在緊湊的�(shè)�(jì)中實(shí)�(xiàn)更高的功率密��
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�4.2A
�(dǎo)通電阻(典型值)�1.5mΩ
柵極電荷�19nC
總電容:170pF
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝類型:LFPAK56L
DMN33D8LDWQ 采用了先�(jìn)的制造工�,確保了以下�(guān)鍵特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠有效降低傳�(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 快速開(kāi)�(guān)能力,得益于較低的柵極電�,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)��
3. 高溫�(wěn)定�,能夠在極端�(huán)境條件下可靠�(yùn)行�
4. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)�(jì)�
5. 緊湊型封�,有助于減小整體解決方案的尺寸�
� MOSFET 廣泛�(yīng)用于各種電力電子�(shè)備中,包括但不限于:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的同步整��
2. DC/DC �(zhuǎn)換器的高端或低端�(kāi)�(guān)�
3. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負(fù)載開(kāi)�(guān)�
4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)�(kāi)�(guān)�
5. 可穿戴設(shè)備和其他便攜式電子產(chǎn)品中的高效功率管��
DMN33D8LDWQ 的高性能使其成為這些�(yīng)用的理想選擇�
DMN3038UDWQ, DMN29D8LQ, DMN29D8LDWQ