DMN3401LDWQ是來自Diodes Incorporated的一款N溝道MOSFET晶體�,采用DFN2020-8封裝形式。該器件主要�(yīng)用于負載開關(guān)、電源管理、電池保護等場景。其�(shè)計特點包括低�(dǎo)通電阻(Rds(on)�、高開關(guān)速度和出色的熱性能,適用于消費電子、通信�(shè)備以及工�(yè)控制等領(lǐng)��
最大漏源電�(Vds)�30V
最大柵源電�(Vgs):�8V
連續(xù)漏極電流(Id)�2.4A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�6mΩ
總柵極電�(Qg)�9nC
功�(PD)�710mW
工作溫度范圍(Ta)�-55°C�150°C
DMN3401LDWQ具備極低的導(dǎo)通電�,有助于降低功率損耗并提高效率�
其小型化的DFN2020-8封裝非常適合空間受限的設(shè)計,同時具有出色的散熱能��
該器件還支持快速開�(guān)操作,可有效減少開關(guān)損耗,并且能夠承受較高的脈沖電��
此外,DMN3401LDWQ擁有較寬的工作溫度范�,確保在惡劣�(huán)境下依然可靠運行�
該MOSFET廣泛用于便攜式電子設(shè)備中的負載開�(guān)功能,例如智能手機和平板電腦�
它也常出�(xiàn)在DC-DC�(zhuǎn)換器、降壓或升壓�(wěn)壓器等電源管理系�(tǒng)��
此外,在USB端口保護、電池供電設(shè)備和汽車電子系統(tǒng)中也有廣泛應(yīng)��
DMN3029LSDQ
NTMFS4C62NL
Si3402DL