DMN52D0LT是來自Diodes Incorporated的一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體�。它采用超小型DFN2020-6L封裝,適用于�(duì)空間要求�(yán)格的�(shè)�(jì)�(chǎng)�。該器件具有低導(dǎo)通電阻(Rds(on))和快速開�(guān)性能,非常適合用于便攜式電子�(shè)�、電源管理模塊以及負(fù)載開�(guān)等應(yīng)用中�
DMN52D0LT在設(shè)�(jì)上注重效率與散熱表現(xiàn),其�(yōu)異的電氣特性使其成為眾多高效能電路的理想選擇�
最大漏源電壓:30V
最大柵極源極電壓:±8V
連續(xù)漏極電流�1.4A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):95mΩ(典型�,在Vgs=4.5V�(shí)�
柵極電荷�3.7nC(典型值)
總電容:130pF(典型值)
工作溫度范圍�-55°C�150°C
封裝形式:DFN2020-6L
DMN52D0LT的主要特�(diǎn)是低�(dǎo)通電�,這有助于降低功率損耗并提升系統(tǒng)效率。同�(shí),其小型化封裝非常適用于空間受限的應(yīng)用環(huán)境�
此外,該器件還具備以下優(yōu)�(shì)�
- 高效的開�(guān)性能,適合高頻應(yīng)用�
- 極低的輸入和輸出電荷,�(jìn)一步減少開�(guān)損��
- 工作溫度范圍寬廣,能夠在極端條件下保持穩(wěn)定運(yùn)行�
- 小型化封�,節(jié)省PCB板面積�
DMN52D0LT廣泛�(yīng)用于各種電子�(shè)備中,包括但不限于以下領(lǐng)域:
- 便攜式消�(fèi)類電子產(chǎn)品(如智能手�(jī)、平板電腦等)中的負(fù)載開�(guān)�
- 各種DC/DC�(zhuǎn)換器及電源管理電��
- 電池供電�(shè)備中的電源切��
- 信號(hào)路徑控制和保�(hù)電路�
- �(shù)�(jù)通信接口中的開關(guān)�(yīng)��
總之,任何需要高性能、小尺寸和高可靠性的MOSFET解決方案的地方都可以考慮使用DMN52D0LT�
DMN52D0UHT, DMN52D0TQ