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DMN53D0LW 發(fā)布時間 時間�2025/4/27 12:52:55 查看 閱讀�37

DMN53D0LW 是一� N 灃道通的 MOSFET 場效�(yīng)晶體�,采� DFN3030-10 封裝形式。該器件具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性,適用于高效能電源管理、DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)以及其他需要高性能功率開關(guān)的應(yīng)用場��
  DMN53D0LW 的設(shè)計特別注重降低傳�(dǎo)損耗和提升系統(tǒng)效率,同時其小型化封裝有助于節(jié)� PCB 空間�

參數(shù)

最大漏源電壓:40V
  連續(xù)漏極電流�7.6A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�3.2mΩ
  柵極電荷�11nC
  總電容:180pF
  工作溫度范圍�-55� to 150�

特�

DMN53D0LW 具有以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電�,能夠顯著減少功率損�,從而提高系�(tǒng)的整體效��
  2. 快速開�(guān)能力,可實現(xiàn)高頻操作,適用于高效� DC-DC �(zhuǎn)換�
  3. 高度集成的小型封� (DFN3030-10),適合空間受限的�(shè)計環(huán)��
  4. 支持寬廣的工作溫度范圍,確保在極端條件下的穩(wěn)定性能�
  5. �(nèi)� ESD 保護(hù)功能,增�(qiáng)了器件的可靠��

�(yīng)�

DMN53D0LW 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 移動�(shè)備中的負(fù)載開�(guān)和電源管��
  2. 高效同步整流電路�
  3. 可攜式電子產(chǎn)品的電池管理�
  4. 通信�(shè)備中� DC-DC �(zhuǎn)換模��
  5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的開�(guān)電源�(shè)��
  6. 任何需要低�(dǎo)通電阻及小體積解決方案的場合�

替代型號

DMN53D0LWNTA, DMN53D0LWTQG

dmn53d0lw推薦供應(yīng)� 更多>

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