時間：2025/5/23 20:47:09
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DMN601K是一款N溝道增強型MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管），屬于超低導通電阻的功率MOSFET系列。該器件采用DFN3.3封裝，適用于需要高效能和小尺寸的應用場景。DMN601K以其出色的電氣性能和緊湊的設計廣泛應用于便攜式設備、消費電子、通信系統(tǒng)等領域。
最大漏源電壓：20V
最大柵源電壓：±8V
連續(xù)漏極電流：3.5A
導通電阻（典型值）：4.9mΩ
柵極電荷：1.9nC
開關時間：典型開啟時間為8ns，典型關閉時間為7ns
工作溫度范圍：-55℃至+150℃
熱阻（結到環(huán)境）：105°C/W
DMN601K具有超低的導通電阻，能夠顯著降低傳導損耗并提高效率。
該器件支持高頻率開關操作，適用于各種電源管理應用。
其DFN3.3小型化封裝設計有助于節(jié)省電路板空間，并滿足現(xiàn)代電子產品對緊湊布局的需求。
由于采用了先進的制造工藝，DMN601K在高溫環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定的性能表現(xiàn)。
此外，它還具備較低的柵極電荷，有助于減少驅動損耗。
DMN601K廣泛用于DC-DC轉換器、負載開關、電池保護電路、電機驅動器等應用場景。
它非常適合于要求高效率和高密度集成的便攜式設備，例如智能手機、平板電腦、筆記本電腦適配器以及可穿戴設備。
此外，在電信系統(tǒng)中的電源模塊和工業(yè)控制設備中也常見其身影。
DMN602K
DMN603K
Si7446DP
