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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > DMN6066SSD-13

DMN6066SSD-13 發(fā)布時間 時間�2025/5/9 9:25:14 查看 閱讀�32

DMN6066SSD-13是一款來自Diodes Incorporated的N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。該器件采用小尺寸SOT23封裝,具有低導通電阻和快速開關速度的特�,適用于多種電源管理應用。其設計旨在提高效率并減少功耗,非常適合在便攜式設備、消費電子以及工�(yè)控制中使��

參數

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�0.48A
  導通電阻(典型值)�5.5Ω
  柵極電荷�2nC
  總電容:45pF
  工作溫度范圍�-55℃至+150�

特�

DMN6066SSD-13具有出色的電氣性能,主要特點包括:
  1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,能夠在高頻開關條件下降低功耗�
  2. 快速的開關速度,減少了開關損耗,適合高效能開關電源設��
  3. 小巧的SOT23封裝形式,便于在空間受限的應用中使用�
  4. 工作溫度范圍寬廣,適應各種惡劣環(huán)境下的應用需求�
  5. 高可靠性和�(wěn)定�,確保長期運行中的性能表現�

應用

DMN6066SSD-13廣泛應用于以下領域:
  1. 開關模式電源(SMPS)中的同步整流和降壓/升壓轉換�
  2. 電池供電設備中的負載開關和保護電��
  3. 消費類電子產品中的電源管理單元�
  4. 各種工業(yè)控制設備中的信號切換和驅動電��
  5. LED驅動器和其他需要高效能功率開關的應用場��

替代型號

DMN6067SSD-13, DMN6066LSD-13, BSS138

dmn6066ssd-13推薦供應� 更多>

  • 產品型號
  • 供應�
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

dmn6066ssd-13參數

  • 標準包裝2,500
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列-
  • FET �2 � N 溝道(雙�
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C3.3A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C66 毫歐 @ 4.5A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs10.3nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds502pF @ 30V
  • 功率 - 最�1.8W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應商設備封�8-SOP
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱DMN6066SSD-13TR