DMN6066SSS是一款來自Diodes Incorporated的N溝道增強型MOSFET。該器件采用小型DFN3030-12封裝,具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點,適合用于需要高效能和緊湊設(shè)計的應(yīng)用場景。其典型應(yīng)用包括負(fù)載開關(guān)、同步整流、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及電池供電設(shè)備中的功率管理。
這款MOSFET具有出色的熱性能和電氣性能,能夠在高頻開關(guān)條件下保持較低的功耗,同時具備良好的耐用性和可靠性。
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流:5.8A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.5mΩ(在Vgs=10V時)
柵極電荷:9nC
總電容:1150pF
工作溫度范圍:-55℃至150℃
封裝類型:DFN3030-12
DMN6066SSS具有超低的導(dǎo)通電阻,能夠顯著降低傳導(dǎo)損耗,提高系統(tǒng)效率。此外,它還具備快速開關(guān)能力,可減少開關(guān)損耗,非常適合高頻應(yīng)用。
該器件采用無引腳表面貼裝封裝,有助于節(jié)省PCB空間并簡化設(shè)計布局。同時,其出色的熱穩(wěn)定性和電氣性能使其能夠在惡劣環(huán)境下可靠運行。
此外,DMN6066SSS符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),確保環(huán)保合規(guī)性,并且支持自動化裝配流程,提升生產(chǎn)效率。
DMN6066SSS適用于多種電力電子應(yīng)用,包括但不限于:
1. 消費類電子產(chǎn)品中的負(fù)載開關(guān)。
2. 同步整流電路以提高效率。
3. DC-DC轉(zhuǎn)換器模塊。
4. 移動設(shè)備及便攜式設(shè)備的電源管理。
5. LED驅(qū)動器和其他低壓功率控制場合。
由于其小尺寸和高性能特點,該MOSFET特別適合于對空間和效率要求較高的設(shè)計。
DMN6067SSS
DMN6068LSS
BSC015N06NS3
IRLDS6402TRPBF