DMN6140L 是一� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),采用先�(jìn)的制造工藝設(shè)�(jì),具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�。該器件通常用于需要高效率和低損耗的�(yīng)用場(chǎng)景,例如電源管理、DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)以及電機(jī)�(qū)�(dòng)��
DMN6140L 的小型化封裝(如 LLP2.0x2.5)使其非常適合空間受限的�(shè)�(jì),并且能夠提供出色的熱性能和電氣性能�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�4.8A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):7mΩ(典型�,在 Vgs=4.5V �(shí)�
柵極電荷�1.9nC(典型值)
反向恢復(fù)�(shí)間:10ns(典型值)
工作�(jié)溫范圍:-55� � +150�
DMN6140L 提供了低�(dǎo)通電阻以減少傳導(dǎo)損�,從而提高整體效�。其快速開�(guān)能力使其適用于高頻應(yīng)用環(huán)�,同�(shí)減少了開�(guān)損�。此�,該器件的柵極驅(qū)�(dòng)要求較低,簡(jiǎn)化了電路�(shè)�(jì)并降低了�(qū)�(dòng)功��
由于采用了先�(jìn)封裝技�(shù),DMN6140L 具備良好的散熱性能,能夠在高溫�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)行。它還具有較�(qiáng)的抗 ESD(靜電放電)能力,提高了�(chǎn)品的可靠性和耐用��
另外,該 MOSFET 的低電容特性有助于降低開關(guān)節(jié)�(diǎn)的振蕩風(fēng)�(xiǎn),確保系�(tǒng)�(wěn)定��
DMN6140L 廣泛�(yīng)用于消費(fèi)電子、工�(yè)控制和通信�(shè)備中,具體包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. 便攜式設(shè)備中的電源管理模�,如智能手機(jī)和平板電腦充電器�
2. 各類 DC-DC �(zhuǎn)換器和降壓轉(zhuǎn)換器電路�
3. 筆記本電腦及服務(wù)器內(nèi)的負(fù)載開�(guān)�
4. 小功率電�(jī)�(qū)�(dòng)電路,例如風(fēng)扇或泵控制器�
5. LED �(qū)�(dòng)器和其他需要高效開�(guān)功能的場(chǎng)合�
DMN2990L
DMN3020L
NTMFS4838NZ