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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > DMN6140L

DMN6140L 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/24 15:11:55 查看 閱讀�20

DMN6140L 是一� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),采用先�(jìn)的制造工藝設(shè)�(jì),具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�。該器件通常用于需要高效率和低損耗的�(yīng)用場(chǎng)景,例如電源管理、DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)以及電機(jī)�(qū)�(dòng)��
  DMN6140L 的小型化封裝(如 LLP2.0x2.5)使其非常適合空間受限的�(shè)�(jì),并且能夠提供出色的熱性能和電氣性能�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�4.8A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):7mΩ(典型�,在 Vgs=4.5V �(shí)�
  柵極電荷�1.9nC(典型值)
  反向恢復(fù)�(shí)間:10ns(典型值)
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +150�

特�

DMN6140L 提供了低�(dǎo)通電阻以減少傳導(dǎo)損�,從而提高整體效�。其快速開�(guān)能力使其適用于高頻應(yīng)用環(huán)�,同�(shí)減少了開�(guān)損�。此�,該器件的柵極驅(qū)�(dòng)要求較低,簡(jiǎn)化了電路�(shè)�(jì)并降低了�(qū)�(dòng)功��
  由于采用了先�(jìn)封裝技�(shù),DMN6140L 具備良好的散熱性能,能夠在高溫�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)行。它還具有較�(qiáng)的抗 ESD(靜電放電)能力,提高了�(chǎn)品的可靠性和耐用��
  另外,該 MOSFET 的低電容特性有助于降低開關(guān)節(jié)�(diǎn)的振蕩風(fēng)�(xiǎn),確保系�(tǒng)�(wěn)定��

�(yīng)�

DMN6140L 廣泛�(yīng)用于消費(fèi)電子、工�(yè)控制和通信�(shè)備中,具體包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. 便攜式設(shè)備中的電源管理模�,如智能手機(jī)和平板電腦充電器�
  2. 各類 DC-DC �(zhuǎn)換器和降壓轉(zhuǎn)換器電路�
  3. 筆記本電腦及服務(wù)器內(nèi)的負(fù)載開�(guān)�
  4. 小功率電�(jī)�(qū)�(dòng)電路,例如風(fēng)扇或泵控制器�
  5. LED �(qū)�(dòng)器和其他需要高效開�(guān)功能的場(chǎng)合�

替代型號(hào)

DMN2990L
  DMN3020L
  NTMFS4838NZ

dmn6140l推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)