DMN62D4LFB是來自Diodes Incorporated的一款MOSFET功率晶體管,采用DFN3030-10封裝形式。該器件具有低導通電阻和高開關速度的特�,非常適合用于負載開�、DC-DC轉換�、便攜式設備電源管理等應用領域。它主要針對消費類電子產(chǎn)品市�,能夠滿足對效率和空間有嚴格要求的設計需��
最大漏源電�(Vds)�30V
最大柵源電�(Vgs):�8V
連續(xù)漏極電流(Id)�6.9A
導通電�(Rds(on))�2.5mΩ(在Vgs=10V時)
總功�(Ptot)�1.7W
結溫范圍(Tj)�-55℃至+150�
DMN62D4LFB是一款N溝道增強型MOSFET,其設計重點在于降低導通電阻,從而減少傳導損�,提高系�(tǒng)效率�
該器件采用小型化的DFN3030-10封裝,有助于節(jié)省PCB板空�,特別適合于緊湊型設��
MOSFET具備快速開關性能,可顯著減少開關過程中的能量損失�
同時,其較低的Qg(柵極電荷)使得驅動更加容易,降低了驅動電路的復雜度和成��
此外,器件具有出色的熱穩(wěn)定�,能夠在較寬的溫度范圍內保持�(wěn)定的電氣性能�
DMN62D4LFB廣泛應用于各種電子設備中,包括但不限于:
1. 手機和平板電腦中的負載開�
2. 電池供電設備的電源管�
3. 小型DC-DC轉換器和多相電壓調節(jié)模塊(PRM)
4. USB充電端口保護
5. 便攜式音頻設備的功率管理
由于其高效的特性和緊湊的封�,這款MOSFET非常適合需要高效能和小尺寸解決方案的應用場��
DMN62D4LFG, DMN62D4LFH