DMN63D1LV是一款來自Diodes Incorporated的N溝道MOSFET晶體�。該器件采用了先進的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特點,非常適合用于各種高效能功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中。其小尺寸封裝DFN1006-2(SOT885)使得它在空間受限的�(shè)計中非常實用�
漏源極電�(Vds)�60V
連續(xù)漏極電流(Id)�3.4A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�170mΩ
柵極電荷(Qg)�6nC
總功�(Ptot)�930mW
工作溫度范圍(Ta)�-55°C to +150°C
DMN63D1LV的主要特性包括低�(dǎo)通電�,這有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高整體效率。此�,其快速開�(guān)能力可以降低開關(guān)損耗,適合高頻操作�(huán)�。該器件的小型DFN1006-2封裝不僅節(jié)省了PCB空間,還具備出色的熱性能,可滿足嚴格的散熱要��
由于采用了無引線封裝,DMN63D1LV還提供了卓越的電氣性能和可靠�,能夠應(yīng)對嚴苛的�(yīng)用條�。同�,它的濕氣敏感度等級達到MSL1標準,便于存儲和焊接過程中的處理�
這款MOSFET廣泛�(yīng)用于消費類電子產(chǎn)�、計算機及外�(shè)、通信�(shè)備以及工�(yè)控制等領(lǐng)�。典型應(yīng)用包括負載開�(guān)、DC-DC�(zhuǎn)換器、電池保護電�、電源管理模塊等。在這些場景�,DMN63D1LV憑借其高效能表�(xiàn)和緊湊型�(shè)計,為工程師提供了理想的解決方案�
DMN63D2LV
DMN63D3LV