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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > DMN63D1LV

DMN63D1LV 發(fā)布時間 時間�2025/4/29 16:24:37 查看 閱讀�36

DMN63D1LV是一款來自Diodes Incorporated的N溝道MOSFET晶體�。該器件采用了先進的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特點,非常適合用于各種高效能功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中。其小尺寸封裝DFN1006-2(SOT885)使得它在空間受限的�(shè)計中非常實用�

參數(shù)

漏源極電�(Vds)�60V
  連續(xù)漏極電流(Id)�3.4A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�170mΩ
  柵極電荷(Qg)�6nC
  總功�(Ptot)�930mW
  工作溫度范圍(Ta)�-55°C to +150°C

特�

DMN63D1LV的主要特性包括低�(dǎo)通電�,這有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高整體效率。此�,其快速開�(guān)能力可以降低開關(guān)損耗,適合高頻操作�(huán)�。該器件的小型DFN1006-2封裝不僅節(jié)省了PCB空間,還具備出色的熱性能,可滿足嚴格的散熱要��
  由于采用了無引線封裝,DMN63D1LV還提供了卓越的電氣性能和可靠�,能夠應(yīng)對嚴苛的�(yīng)用條�。同�,它的濕氣敏感度等級達到MSL1標準,便于存儲和焊接過程中的處理�

�(yīng)�

這款MOSFET廣泛�(yīng)用于消費類電子產(chǎn)�、計算機及外�(shè)、通信�(shè)備以及工�(yè)控制等領(lǐng)�。典型應(yīng)用包括負載開�(guān)、DC-DC�(zhuǎn)換器、電池保護電�、電源管理模塊等。在這些場景�,DMN63D1LV憑借其高效能表�(xiàn)和緊湊型�(shè)計,為工程師提供了理想的解決方案�

替代型號

DMN63D2LV
  DMN63D3LV

dmn63d1lv推薦供應(yīng)� 更多>

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