DMN63D8LDW 是一� N 灃道晶體� (N-MOSFET),采用邏輯電平設�,適用于低電壓應用場�。該器件具有較低的導通電阻和快速開關特�,適合用于功率轉�、電機驅動以及負載開關等應用。它采用� D2PAK-7 封裝形式,能夠提供良好的散熱性能和電氣連接�
最大漏源電�(VDS)�60V
連續(xù)漏極電流(ID)�33A
導通電�(RDS(on))�1.8mΩ
柵極閾值電�(VGS(th))�2.1V
總功�(PD)�215W
工作結溫范圍(TJ)�-55� � 175�
封裝類型:D2PAK-7
DMN63D8LDW 具有低導通電� (<1.8mΩ),這有助于減少傳導損耗并提高效率�
其邏輯電平設計使得該器件在低柵極驅動電壓下即可完全開�,非常適合電池供電設備�
� MOSFET 的快速開關能力可降低開關損�,并且具備較強的雪崩能量承受能力,從而增強了系統(tǒng)的可靠��
D2PAK-7 封裝提供了出色的散熱性能和牢固的引腳結構,適用于高功率密度的應用場景�
此外,該器件符合 RoHS 標準,環(huán)保無鉛�
DMN63D8LDW 廣泛應用� DC-DC 轉換�、電機控制器、電源管理系�(tǒng)以及負載開關等電路中�
它特別適合需要低導通損耗和高效率的電池供電設備,例如筆記本電腦適配�、電動工具和不間斷電� (UPS) 系統(tǒng)�
同時,在工業(yè)自動化領域,如機器人控制和伺服驅動器中也經常使用此器��
由于其出色的熱性能和電氣性能,DMN63D8LDW 還被廣泛用于汽車電子系統(tǒng)中的各種功率管理模塊�
DMN63D8LDT, DMN63D8LDG