DMN63D8LV 是一� N 灃道場效�(yīng)晶體管(MOSFET),采用 Logic Level �(shè)�,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的開�(guān)速度,適合用于多種功率轉(zhuǎn)換和負載�(qū)動應(yīng)用。該器件采用� DFN3030-8 封裝形式,具有緊湊的尺寸和良好的散熱性能,能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高效能和小型化的要求�
Logic Level MOSFET 的設(shè)計使得該器件能夠在較低的柵極�(qū)動電壓下實現(xiàn)完全�(dǎo)�,從而非常適合電池供電的便攜式設(shè)備和其他低電壓系�(tǒng)�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�4.2A
�(dǎo)通電阻:5.5mΩ(典型值,� Vgs=4.5V 時)
柵極電荷�13nC(典型值)
開關(guān)時間:t_on=17ns,t_off=24ns(典型值)
封裝形式:DFN3030-8
工作溫度范圍�-55� � +150�
DMN63D8LV 具有以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于減少傳�(dǎo)損耗并提高效率�
2. 快速開�(guān)速度,適合高頻應(yīng)��
3. Logic Level 柵極�(qū)動設(shè)�,可與低電壓微控制器或邏輯電路直接兼容�
4. 緊湊� DFN3030-8 封裝形式,占用較少的 PCB 面積�
5. 良好的熱性能和電氣性能�(wěn)定�,適合在各種�(huán)境下使用�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�
這些特點� DMN63D8LV 成為一種高�、可靠的功率開關(guān)解決方案,適用于多種消費類電子產(chǎn)品和工業(yè)�(yīng)��
DMN63D8LV 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 移動�(shè)備中的負載開�(guān)和電源管��
2. DC-DC �(zhuǎn)換器和降壓穩(wěn)壓器�
3. 電機�(qū)動和電池保護電路�
4. 固態(tài)繼電器和信號切換�
5. 便攜式設(shè)備中的電池管理�
6. 工業(yè)自動化和控制系統(tǒng)的功率開�(guān)�
由于其低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)能力,DMN63D8LV 在需要高效功率轉(zhuǎn)換和開關(guān)操作的應(yīng)用中表現(xiàn)出色�
DMN2990UFH, DMN2999UFG, BSS138