DMP1009UFDF是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),采用小型化的DFN封裝形式,適用于低電�、高效率的開�(guān)�(yīng)用。該器件具有極低的導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,非常適合于便攜式設(shè)�、電池管理系�(tǒng)、負(fù)載開�(guān)以及DC-DC�(zhuǎn)換器等場��
最大漏源電壓:30V
最大柵源電壓:±8V
連續(xù)漏極電流�4.5A
�(dǎo)通電阻:2.8mΩ(典型�,Vgs=10V�
總功耗:670mW
工作溫度范圍�-55℃至175�
DMP1009UFDF采用超低�(dǎo)通電阻設(shè)�(jì),可以顯著降低功率損�,提升系�(tǒng)效率。同�(shí),其DFN封裝體積小,能夠節(jié)省電路板空間,滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對小型化的需��
此外,該MOSFET具備�(yōu)異的熱穩(wěn)定�,能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持性能�(wěn)�,適合高溫環(huán)境下的應(yīng)�。器件還具有出色的抗靜電能力(HBM�2000V),增強(qiáng)了系�(tǒng)的可靠��
DMP1009UFDF廣泛�(yīng)用于各種消費(fèi)類電子產(chǎn)品和工業(yè)�(lǐng)域,包括但不限于�
1. 手機(jī)和平板電腦中的負(fù)載開�(guān)
2. 電池保護(hù)電路
3. DC-DC�(zhuǎn)換器和降壓升壓電�
4. 固態(tài)硬盤(SSD)電源管�
5. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和LED�(qū)�(dòng)電路
由于其高效率和低損耗特�,這款MOSFET在需要高頻開�(guān)的應(yīng)用中表現(xiàn)尤為突出�
DMN1019UFDF, Si2302DS, FDN340P