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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > DMP2012SN-7

DMP2012SN-7 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/16 15:45:10 查看 閱讀�22

DMP2012SN-7是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),采用DFN2012-7封裝形式。該器件以其小尺寸和高效率著�(chēng),適用于各種便攜式電子設(shè)備中的開(kāi)�(guān)和負(fù)載驅(qū)�(dòng)�(yīng)�。其低導(dǎo)通電阻和極低的柵極電荷使其成為高效電源管理的理想選擇�
  該MOSFET具有出色的熱性能和電氣特�,能夠在高頻和高功率密度的應(yīng)用中提供可靠的性能�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�1.6A
  �(dǎo)通電阻:95mΩ
  柵源�(kāi)啟電壓:1.2V�2.8V
  總柵極電荷:4nC
  工作溫度范圍�-55℃至150�

特�

DMP2012SN-7的主要特�(diǎn)是其超小型封裝和卓越的電氣性能。其DFN2012-7封裝尺寸僅為2mm x 1.2mm,非常適合空間受限的�(shè)�(jì)。此�,該器件具有非常低的�(dǎo)通電阻(Rds并提高系�(tǒng)效率�
  另一�(gè)顯著特點(diǎn)是其低柵極電荷(Qg),這使得該MOSFET在高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用中表現(xiàn)出色。同�(shí),其較高的漏源電壓額定值(30V)保證了在大多數(shù)低壓�(yīng)用中的穩(wěn)定��
  該器件還具備�(yōu)異的熱穩(wěn)定�,可承受高達(dá)150°C的工作溫度,確保在高溫環(huán)境下仍能保持可靠�(yùn)��

�(yīng)�

DMP2012SN-7廣泛�(yīng)用于多種�(lǐng)域,包括但不限于以下方面�
  1. 移動(dòng)�(shè)備中的負(fù)載開(kāi)�(guān)
  2. 電池供電�(chǎn)品的電源管理
  3. 消費(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品的DC/DC�(zhuǎn)換器
  4. LED�(qū)�(dòng)電路中的�(kāi)�(guān)元件
  5. 電信和網(wǎng)�(luò)�(shè)備中的保�(hù)電路
  由于其小尺寸和高效性能,這款MOSFET特別適合于需要緊湊設(shè)�(jì)和高性能的應(yīng)用場(chǎng)��

替代型號(hào)

DMN2012UFQ-7, DMN2012UFG-7

dmp2012sn-7推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

dmp2012sn-7資料 更多>

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  • 描述
  • 品牌
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dmp2012sn-7參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C700mA
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C300 毫歐 @ 400mA�4.5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)1.2V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs-
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds180pF @ 10V
  • 功率 - 最�500mW
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SC-59-3
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱(chēng)DMP2012SNDITR