DMP22D6UT是來自Diodes Incorporated的一款N溝道MOSFET功率晶體管,采用DFN3030-10(SOT1213)封裝形式。該器件具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的電流處理能力,適用于多種功率轉(zhuǎn)換和負載開關(guān)應(yīng)用。由于其緊湊的封裝尺寸以及高效的電氣性能,DMP22D6UT非常適合于空間受限的設(shè)計環(huán)境。
最大漏源電壓:45V
連續(xù)漏極電流:6.8A
導(dǎo)通電阻(典型值,Vgs=10V):3.5mΩ
柵極電荷:17nC
工作結(jié)溫范圍:-55℃至+150℃
封裝形式:DFN3030-10
DMP22D6UT擁有極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),能夠顯著降低功率損耗并提升效率。此外,該器件還具備出色的熱性能,在高功率密度的應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
它采用了DFN3030-10封裝,這種無引線封裝有助于減少寄生電感,并且可以提高電路板的布局靈活性。
DMP22D6UT支持快速開關(guān)操作,這得益于其較小的柵極電荷和輸出電容,使得它成為高頻功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇。
同時,該器件在高溫環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定運行,適合工業(yè)級或汽車級應(yīng)用需求。
DMP22D6UT廣泛應(yīng)用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、同步整流電路、負載開關(guān)、電池保護電路以及電機驅(qū)動等領(lǐng)域。
由于其出色的電氣特性和緊湊的封裝設(shè)計,這款MOSFET特別適合于消費類電子設(shè)備中的電源管理單元,例如智能手機充電器、平板電腦適配器以及便攜式音頻設(shè)備等。
此外,它也可以用于網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)終端以及其他需要高效功率管理的場景。
DMP2008UFG
DMP2209UFQ
DMN2008UFCE