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DMP3130LQ 發(fā)布時間 時間:2025/5/10 14:15:16 查看 閱讀:19

DMP3130LQ是一款N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),適用于高頻開關(guān)和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該器件采用了先進的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱性能,非常適合用于便攜式設(shè)備、電源適配器以及DC-DC轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用領(lǐng)域。
  這款MOSFET具有極低的導(dǎo)通電阻,從而能夠有效降低功率損耗并提高整體效率。同時,其優(yōu)化的封裝設(shè)計有助于改善散熱性能,使得器件能夠在較高的電流密度下穩(wěn)定工作。

參數(shù)

型號:DMP3130LQ
  類型:N溝道MOSFET
  最大漏源電壓(Vds):30V
  最大柵源電壓(Vgs):±20V
  持續(xù)漏極電流(Id):4.6A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):8mΩ @ Vgs=10V
  總功耗(Ptot):1.2W
  結(jié)溫范圍(Tj):-55℃至+150℃
  封裝形式:SOT-23

特性

1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),在Vgs=10V時僅為8mΩ,可顯著降低導(dǎo)通損耗。
  2. 高速開關(guān)性能,柵極電荷(Qg)較小,適合高頻應(yīng)用。
  3. 具備良好的熱穩(wěn)定性,采用SOT-23小型封裝,適合空間受限的設(shè)計。
  4. 較寬的工作溫度范圍(-55℃至+150℃),確保在各種環(huán)境下的可靠運行。
  5. 符合RoHS標(biāo)準,綠色環(huán)保。
  6. 提供優(yōu)異的靜電防護能力(ESD保護),以增強器件的耐用性。

應(yīng)用

1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流電路。
  2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)。
  3. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負載開關(guān)。
  4. 便攜式電子設(shè)備中的高效電源管理。
  5. LED驅(qū)動器中的功率控制。
  6. 各類消費類電子產(chǎn)品中的信號切換與功率傳輸。
  7. 工業(yè)控制中的小型化功率模塊。

替代型號

DMP2030UJE, DMN2030UFH, FDS6690A

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