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DMP31D1UQ 發(fā)布時間 時間�2025/5/12 15:35:16 查看 閱讀�22

DMP31D1UQ是一款N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),采用DFN3*3-8封裝形式。該器件主要用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)動、負(fù)載開�(guān)等應(yīng)用領(lǐng)�,具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�4.5A
  �(dǎo)通電阻:25mΩ
  柵極電荷�12nC
  輸入電容�290pF
  開關(guān)速度:快�
  工作溫度范圍�-55℃至175�

特�

DMP31D1UQ具備超低的導(dǎo)通電�,能夠顯著降低功率損耗,提高系統(tǒng)效率�
  該器件采用了先�(jìn)的制造工藝,確保了其在高頻開�(guān)條件下的�(wěn)定性和可靠��
  其小型化的DFN3*3-8封裝適合空間受限的應(yīng)用場景,并且具備良好的散熱性能�
  DMP31D1UQ還擁有較寬的工作溫度范圍,適用于各種�(yán)苛環(huán)境下的電子設(shè)��

�(yīng)�

該MOSFET廣泛�(yīng)用于消費類電子產(chǎn)�、工�(yè)控制和汽車電子領(lǐng)��
  典型�(yīng)用包括DC-DC�(zhuǎn)換器、電池管理模�、負(fù)載開�(guān)、電�(jī)�(qū)動電路以及信號切換電路等�
  由于其高效的功率傳輸能力和緊湊的尺寸,它特別適合對能效和空間有嚴(yán)格要求的�(shè)��

替代型號

DMP3031UEH
  DMN2032UF
  AO3400

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