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DMP4013LFGQ-13 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/15 18:07:50 查看 閱讀:25

DMP4013LFGQ-13是一款來自Diodes Incorporated的N溝道MOSFET功率晶體管。該器件采用DFN3x3-8封裝,具有低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力,適用于各種開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)域。
  這款MOSFET因其出色的性能和緊湊的尺寸而備受青睞,特別適合對(duì)空間要求嚴(yán)格的設(shè)計(jì)場(chǎng)景。

參數(shù)

型號(hào):DMP4013LFGQ-13
  封裝:DFN3x3-8
  Vds(漏源極電壓):30V
  Rds(on)(導(dǎo)通電阻):2.5mΩ(典型值,在Vgs=10V時(shí))
  Id(連續(xù)漏極電流):30A
  Vgs(柵源電壓):±20V
  功耗:90W
  工作溫度范圍:-55°C至+175°C
  柵極電荷:16nC(典型值)

特性

DMP4013LFGQ-13具有以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),可顯著降低傳導(dǎo)損耗,提高效率。
  2. 高電流承載能力,支持高達(dá)30A的連續(xù)漏極電流。
  3. 緊湊的DFN3x3-8封裝,節(jié)省PCB空間,非常適合便攜式設(shè)備和其他空間受限的應(yīng)用。
  4. 較寬的工作溫度范圍,確保在極端環(huán)境條件下的可靠運(yùn)行。
  5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代設(shè)計(jì)中。
  6. 內(nèi)置ESD保護(hù),提高了器件的魯棒性。

應(yīng)用

DMP4013LFGQ-13廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC-DC轉(zhuǎn)換器,包括降壓和升壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
  3. 負(fù)載開關(guān),在需要快速開啟/關(guān)閉負(fù)載的應(yīng)用中。
  4. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,用于小型直流電機(jī)或無刷直流電機(jī)控制。
  5. 電池管理系統(tǒng)(BMS),提供高效的充放電路徑。
  6. 各種工業(yè)和消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的功率管理單元。

替代型號(hào)

DMN2026UFGQ-13
  DMP2026LFGQ-13
  NTMFS4836NL
  IRLZ44N

dmp4013lfgq-13推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

dmp4013lfgq-13參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨查看交期
  • 價(jià)格1 : ¥7.55000剪切帶(CT)3,000 : ¥2.93153卷帶(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • FET 類型P 通道
  • 技術(shù)MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss)40 V
  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)10.3A(Ta)
  • 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值)13 毫歐 @ 10A,10V
  • 不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值)3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)68.6 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)3426 pF @ 20 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1W(Ta)
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 供應(yīng)商器件封裝POWERDI3333-8
  • 封裝/外殼8-PowerVDFN