DMP4065SQ-7 是一款來� Diodes Incorporated � P 溝道功率 MOSFET。這款晶體管采� SO-8 封裝,設(shè)�(jì)用于高效率開�(guān)�(yīng)�,特別是在需要低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性的場合。該器件具有出色的熱性能和電氣特性,適用于各種電源管理和功率�(zhuǎn)換應(yīng)��
這款 MOSFET 主要用于需要高電流處理能力和高效能表現(xiàn)的場�,例如負(fù)載開�(guān)、DC/DC �(zhuǎn)換器、電池保�(hù)電路�。由于其卓越的性能,DMP4065SQ-7 在消�(fèi)電子、工�(yè)控制以及通信�(shè)備等�(lǐng)域得到了廣泛�(yīng)用�
型號(hào):DMP4065SQ-7
類型:P溝道增強(qiáng)型MOSFET
封裝:SO-8
最大漏源電壓Vds�-30V
最大柵源電壓Vgs:�12V
連續(xù)漏極電流Ids�-6.8A(Tc=25℃)/-3.5A(Tc=70℃)
�(dǎo)通電阻Rds(on)�13mΩ(典型�,在Vgs=-4.5V�(shí)�
柵極電荷Qg�19nC(典型值)
輸入電容Ciss�490pF(典型值)
總功耗Ptot�1.1W(在θja=62.5�/W�(shí)�
� MOSFET 具有非常低的�(dǎo)通電阻(Rds(on)�,這有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高整體系統(tǒng)效率。此外,它還具備快速的開關(guān)速度,這對(duì)于降低開�(guān)損耗至�(guān)重要。同�(shí),DMP4065SQ-7 還擁有良好的熱穩(wěn)定�,即使在高溫�(huán)境下也能保持�(wěn)定的性能�
其低柵極電荷特性使得驅(qū)�(dòng)更為容易,可以與微控制器�?qū)S抿?qū)�(dòng)芯片配合使用,以�(shí)�(xiàn)高效的功率管�。此外,SO-8 封裝形式不僅提供了可靠的�(jī)械結(jié)�(gòu),還便于散熱�(shè)�(jì),適合緊湊型�(chǎn)品的開發(fā)需求�
DMP4065SQ-7 廣泛�(yīng)用于多種�(lǐng)�,如便攜式電子產(chǎn)品中的電源管理模�、筆記本電腦及平板電腦的充電接口保護(hù)、移�(dòng)電源的過流保�(hù)電路、智能手表和其他穿戴式設(shè)備的電源切換部分��
在工�(yè)自動(dòng)化方�,它可以作為電機(jī)�(qū)�(dòng)器的一部分,或者用于構(gòu)建穩(wěn)健的直流無刷電機(jī)控制系統(tǒng)。此�,在汽車電子中,該元件也可用作車載逆變�、LED �(qū)�(dòng)器的�(guān)鍵組�??傊?,任何涉及到電力�(diào)節(jié)、轉(zhuǎn)換或保護(hù)的應(yīng)用場景都可能見到 DMP4065SQ-7 的身��
1. Si7456DP - 同樣是來� Vishay � P 溝道 MOSFET,具有類似的電氣�(guī)�,并且同樣采� SO-8 封裝,可以作為直接替換選�(xiàng)�
2. FDS6680 - Fairchild Semiconductor 生產(chǎn)的一款高性能 P 溝道 MOSFET,雖然它的最大漏極電流稍�,但在某些應(yīng)用中仍可勝任�
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