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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > DMP4065SQ-7

DMP4065SQ-7 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/3/19 15:33:03 查看 閱讀�45

DMP4065SQ-7 是一款來� Diodes Incorporated � P 溝道功率 MOSFET。這款晶體管采� SO-8 封裝,設(shè)�(jì)用于高效率開�(guān)�(yīng)�,特別是在需要低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性的場合。該器件具有出色的熱性能和電氣特性,適用于各種電源管理和功率�(zhuǎn)換應(yīng)��
  這款 MOSFET 主要用于需要高電流處理能力和高效能表現(xiàn)的場�,例如負(fù)載開�(guān)、DC/DC �(zhuǎn)換器、電池保�(hù)電路�。由于其卓越的性能,DMP4065SQ-7 在消�(fèi)電子、工�(yè)控制以及通信�(shè)備等�(lǐng)域得到了廣泛�(yīng)用�

參數(shù)

型號(hào):DMP4065SQ-7
  類型:P溝道增強(qiáng)型MOSFET
  封裝:SO-8
  最大漏源電壓Vds�-30V
  最大柵源電壓Vgs:�12V
  連續(xù)漏極電流Ids�-6.8A(Tc=25℃)/-3.5A(Tc=70℃)
  �(dǎo)通電阻Rds(on)�13mΩ(典型�,在Vgs=-4.5V�(shí)�
  柵極電荷Qg�19nC(典型值)
  輸入電容Ciss�490pF(典型值)
  總功耗Ptot�1.1W(在θja=62.5�/W�(shí)�

特�

� MOSFET 具有非常低的�(dǎo)通電阻(Rds(on)�,這有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高整體系統(tǒng)效率。此外,它還具備快速的開關(guān)速度,這對(duì)于降低開�(guān)損耗至�(guān)重要。同�(shí),DMP4065SQ-7 還擁有良好的熱穩(wěn)定�,即使在高溫�(huán)境下也能保持�(wěn)定的性能�
  其低柵極電荷特性使得驅(qū)�(dòng)更為容易,可以與微控制器�?qū)S抿?qū)�(dòng)芯片配合使用,以�(shí)�(xiàn)高效的功率管�。此外,SO-8 封裝形式不僅提供了可靠的�(jī)械結(jié)�(gòu),還便于散熱�(shè)�(jì),適合緊湊型�(chǎn)品的開發(fā)需求�

�(yīng)�

DMP4065SQ-7 廣泛�(yīng)用于多種�(lǐng)�,如便攜式電子產(chǎn)品中的電源管理模�、筆記本電腦及平板電腦的充電接口保護(hù)、移�(dòng)電源的過流保�(hù)電路、智能手表和其他穿戴式設(shè)備的電源切換部分��
  在工�(yè)自動(dòng)化方�,它可以作為電機(jī)�(qū)�(dòng)器的一部分,或者用于構(gòu)建穩(wěn)健的直流無刷電機(jī)控制系統(tǒng)。此�,在汽車電子中,該元件也可用作車載逆變�、LED �(qū)�(dòng)器的�(guān)鍵組�??傊?,任何涉及到電力�(diào)節(jié)、轉(zhuǎn)換或保護(hù)的應(yīng)用場景都可能見到 DMP4065SQ-7 的身��

替代型號(hào)

1. Si7456DP - 同樣是來� Vishay � P 溝道 MOSFET,具有類似的電氣�(guī)�,并且同樣采� SO-8 封裝,可以作為直接替換選�(xiàng)�
  2. FDS6680 - Fairchild Semiconductor 生產(chǎn)的一款高性能 P 溝道 MOSFET,雖然它的最大漏極電流稍�,但在某些應(yīng)用中仍可勝任�
  3. AO3401A - Alpha & Omega Semiconductor 提供的產(chǎn)�,具有更低的�(dǎo)通電阻,如果�(duì)效率有更高要�,可以選擇這款器件�(jìn)行評(píng)��

dmp4065sq-7推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

dmp4065sq-7參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�20,785�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �4.37000剪切帶(CT�3,000 : �1.54098卷帶(TR�
  • 系列-
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型P 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�40 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)2.4A(Ta�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�4.5V�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)80 毫歐 @ 4.2A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)3V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)12.2 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)587 pF @ 20 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)720mW(Ta�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�SOT-23-3
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3