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DMP4065SQ-7 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/3/19 15:33:03 查看 閱讀:45

DMP4065SQ-7 是一款來自 Diodes Incorporated 的 P 溝道功率 MOSFET。這款晶體管采用 SO-8 封裝,設(shè)計(jì)用于高效率開關(guān)應(yīng)用,特別是在需要低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性的場合。該器件具有出色的熱性能和電氣特性,適用于各種電源管理和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。
  這款 MOSFET 主要用于需要高電流處理能力和高效能表現(xiàn)的場景,例如負(fù)載開關(guān)、DC/DC 轉(zhuǎn)換器、電池保護(hù)電路等。由于其卓越的性能,DMP4065SQ-7 在消費(fèi)電子、工業(yè)控制以及通信設(shè)備等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。

參數(shù)

型號(hào):DMP4065SQ-7
  類型:P溝道增強(qiáng)型MOSFET
  封裝:SO-8
  最大漏源電壓Vds:-30V
  最大柵源電壓Vgs:±12V
  連續(xù)漏極電流Ids:-6.8A(Tc=25℃)/-3.5A(Tc=70℃)
  導(dǎo)通電阻Rds(on):13mΩ(典型值,在Vgs=-4.5V時(shí))
  柵極電荷Qg:19nC(典型值)
  輸入電容Ciss:490pF(典型值)
  總功耗Ptot:1.1W(在θja=62.5℃/W時(shí))

特性

該 MOSFET 具有非常低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),這有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高整體系統(tǒng)效率。此外,它還具備快速的開關(guān)速度,這對(duì)于降低開關(guān)損耗至關(guān)重要。同時(shí),DMP4065SQ-7 還擁有良好的熱穩(wěn)定性,即使在高溫環(huán)境下也能保持穩(wěn)定的性能。
  其低柵極電荷特性使得驅(qū)動(dòng)更為容易,可以與微控制器或?qū)S抿?qū)動(dòng)芯片配合使用,以實(shí)現(xiàn)高效的功率管理。此外,SO-8 封裝形式不僅提供了可靠的機(jī)械結(jié)構(gòu),還便于散熱設(shè)計(jì),適合緊湊型產(chǎn)品的開發(fā)需求。

應(yīng)用

DMP4065SQ-7 廣泛應(yīng)用于多種領(lǐng)域,如便攜式電子產(chǎn)品中的電源管理模塊、筆記本電腦及平板電腦的充電接口保護(hù)、移動(dòng)電源的過流保護(hù)電路、智能手表和其他穿戴式設(shè)備的電源切換部分等。
  在工業(yè)自動(dòng)化方面,它可以作為電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的一部分,或者用于構(gòu)建穩(wěn)健的直流無刷電機(jī)控制系統(tǒng)。此外,在汽車電子中,該元件也可用作車載逆變器、LED 驅(qū)動(dòng)器的關(guān)鍵組件�?傊�,任何涉及到電力調(diào)節(jié)、轉(zhuǎn)換或保護(hù)的應(yīng)用場景都可能見到 DMP4065SQ-7 的身影。

替代型號(hào)

1. Si7456DP - 同樣是來自 Vishay 的 P 溝道 MOSFET,具有類似的電氣規(guī)格,并且同樣采用 SO-8 封裝,可以作為直接替換選項(xiàng)。
  2. FDS6680 - Fairchild Semiconductor 生產(chǎn)的一款高性能 P 溝道 MOSFET,雖然它的最大漏極電流稍低,但在某些應(yīng)用中仍可勝任。
  3. AO3401A - Alpha & Omega Semiconductor 提供的產(chǎn)品,具有更低的導(dǎo)通電阻,如果對(duì)效率有更高要求,可以選擇這款器件進(jìn)行評(píng)估。

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  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

dmp4065sq-7參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量20,785現(xiàn)貨
  • 價(jià)格1 : ¥4.37000剪切帶(CT)3,000 : ¥1.54098卷帶(TR)
  • 系列-
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • FET 類型P 通道
  • 技術(shù)MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss)40 V
  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)2.4A(Ta)
  • 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值)80 毫歐 @ 4.2A,10V
  • 不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值)3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)12.2 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)587 pF @ 20 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)720mW(Ta)
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 供應(yīng)商器件封裝SOT-23-3
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3