DMP610DL 是一� N 溝道增強(qiáng)型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET�,廣泛應(yīng)用于功率�(zhuǎn)�、負(fù)載開�(guān)和電�(jī)�(qū)�(dòng)等場(chǎng)景。該器件采用 DPAK 封裝,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的電流處理能力�
� MOSFET 的設(shè)�(jì)使其在高頻開�(guān)�(yīng)用中表現(xiàn)出色,同�(shí)具備良好的熱性能和可靠性,適用于需要高效能和緊湊設(shè)�(jì)的電子設(shè)��
最大漏源電壓:60V
最大連續(xù)漏極電流�18A
�(dǎo)通電阻(典型值)�2.5mΩ
柵極閾值電壓:2V � 4V
最大功耗:135W
工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
DMP610DL 提供了低�(dǎo)通電阻以減少傳導(dǎo)損�,并且其封裝形式有助于散熱管�。此�,它具有快速開�(guān)速度和低柵極電荷,從而提升了效率并降低了開關(guān)損耗�
由于其高雪崩能量能力和穩(wěn)健的�(shè)�(jì),該器件能夠在惡劣環(huán)境下可靠�(yùn)�。其出色的電氣性能和熱性能使得 DMP610DL 成為眾多功率�(yīng)用的理想選擇�
DMP610DL 廣泛�(yīng)用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)電路、電池保�(hù)以及各種工業(yè)和消�(fèi)類電子產(chǎn)品的功率管理模塊�
它特別適合需要高效率和高功率密度的設(shè)�(jì),例如筆記本電腦適配�、汽車電子系�(tǒng)和家用電器中的電源部分�
DMP6006L, IRF540N, FDP15N65S