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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > DMP6110SVTQ-7

DMP6110SVTQ-7 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/5 17:33:20 查看 閱讀�11

DMP6110SVTQ-7是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),采用超小型DFN5x6封裝。該器件主要�(yīng)用于需要高效開(kāi)�(guān)和低�(dǎo)通電阻的�(chǎng)�,例如電源管理、負(fù)載開(kāi)�(guān)、DC-DC�(zhuǎn)換器以及便攜式電子設(shè)備中的電池保�(hù)電路�
  由于其低�(dǎo)通電阻和高電流能力,這款MOSFET適合在高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用中提供�(yōu)異的效率表現(xiàn)。同�(shí),它具有較低的柵極電�,從而降低了�(qū)�(dòng)損耗并提高了系�(tǒng)的整體性能�

參數(shù)

型號(hào):DMP6110SVTQ-7
  類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  封裝:DFN5x6
  Vds(漏源電壓)�30V
  Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�4.2mΩ @ Vgs=10V
  Id(持�(xù)漏極電流):38A
  Vgs(柵源電壓):�20V
  柵極電荷�13nC
  工作溫度范圍�-55℃至150�

特�

1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)僅為4.2mΩ),有助于降低導(dǎo)通損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 小型化設(shè)�(jì)(DFN5x6封裝�,非常適合空間受限的�(yīng)用環(huán)��
  3. 高電流承載能力(最大漏極電流為38A�,能夠滿足高功率需求�
  4. 較低的柵極電�,減少驅(qū)�(dòng)功耗并支持高頻操作�
  5. 寬工作溫度范圍(-55℃至150℃),確保在各種�(huán)境下的可靠運(yùn)��
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛工藝�

�(yīng)�

1. 移動(dòng)�(shè)備中的電源管理單元(PMU��
  2. �(fù)載開(kāi)�(guān),在不同電路模塊之間�(jìn)行電源切��
  3. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流�(kāi)�(guān)�
  4. 電池保護(hù)電路,用于防止過(guò)充或�(guò)��
  5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的高效能�(kāi)�(guān)解決方案�
  6. 工業(yè)�(shè)備中的功率控制模��

替代型號(hào)

DMP6010NLTQ-7, DMN2990UFDE, BSC018N06NS3

dmp6110svtq-7推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

dmp6110svtq-7參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • �(jià)�1 : �5.72000剪切帶(CT�3,000 : �2.22467卷帶(TR�
  • 系列Automotive, AEC-Q101
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型P 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�60 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)7.3A(Ta�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�4.5V�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)105 毫歐 @ 4.5A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)3V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)17.2 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)969 pF @ 30 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)1.8W(Ta�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�TSOT-23-6
  • 封裝/外殼SOT-23-6 �(xì)�,TSOT-23-6