DMP6110SVTQ-7是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),采用超小型DFN5x6封裝。該器件主要�(yīng)用于需要高效開(kāi)�(guān)和低�(dǎo)通電阻的�(chǎng)�,例如電源管理、負(fù)載開(kāi)�(guān)、DC-DC�(zhuǎn)換器以及便攜式電子設(shè)備中的電池保�(hù)電路�
由于其低�(dǎo)通電阻和高電流能力,這款MOSFET適合在高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用中提供�(yōu)異的效率表現(xiàn)。同�(shí),它具有較低的柵極電�,從而降低了�(qū)�(dòng)損耗并提高了系�(tǒng)的整體性能�
型號(hào):DMP6110SVTQ-7
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
封裝:DFN5x6
Vds(漏源電壓)�30V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�4.2mΩ @ Vgs=10V
Id(持�(xù)漏極電流):38A
Vgs(柵源電壓):�20V
柵極電荷�13nC
工作溫度范圍�-55℃至150�
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)僅為4.2mΩ),有助于降低導(dǎo)通損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 小型化設(shè)�(jì)(DFN5x6封裝�,非常適合空間受限的�(yīng)用環(huán)��
3. 高電流承載能力(最大漏極電流為38A�,能夠滿足高功率需求�
4. 較低的柵極電�,減少驅(qū)�(dòng)功耗并支持高頻操作�
5. 寬工作溫度范圍(-55℃至150℃),確保在各種�(huán)境下的可靠運(yùn)��
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛工藝�
1. 移動(dòng)�(shè)備中的電源管理單元(PMU��
2. �(fù)載開(kāi)�(guān),在不同電路模塊之間�(jìn)行電源切��
3. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流�(kāi)�(guān)�
4. 電池保護(hù)電路,用于防止過(guò)充或�(guò)��
5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的高效能�(kāi)�(guān)解決方案�
6. 工業(yè)�(shè)備中的功率控制模��
DMP6010NLTQ-7, DMN2990UFDE, BSC018N06NS3