時間：2025/5/7 15:32:55
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DMT2004UFV是一款N溝道增強型MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管），專為高頻開關應用設計。該器件采用小型化的封裝形式，具有低導通電阻和快速開關速度的特點，廣泛應用于功率轉換、DC-DC轉換器、負載開關以及電機驅動等場景。
最大漏源電壓：60V
最大柵源電壓：±20V
持續(xù)漏極電流：4.3A
導通電阻：120mΩ
柵極電荷：7nC
總電容：280pF
工作溫度范圍：-55℃至+150℃
DMT2004UFV具有以下特點：
1. 極低的導通電阻，能夠顯著降低功耗并提升效率。
2. 快速開關速度，適合高頻應用場合。
3. 小型化DFN3*3封裝，節(jié)省PCB空間。
4. 高可靠性設計，能夠在較寬的工作溫度范圍內穩(wěn)定運行。
5. 符合RoHS標準，環(huán)保無鉛工藝。
DMT2004UFV適用于以下領域：
1. 開關電源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC轉換器的核心開關元件。
3. 電池保護電路及負載開關。
4. 消費類電子產品中的小型化功率管理方案。
5. 低功率電機驅動控制。
DMT2004UFSV, DMT2004UFH
