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DMT26M0LDG 發(fā)布時間 時間�2025/5/20 15:24:18 查看 閱讀�20

DMT26M0LDG 是一款高性能� N 灃道開關(guān) MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),采用邏輯電平驅(qū)動設(shè)�,能夠以較低的柵極驅(qū)動電壓實�(xiàn)高效的導(dǎo)通性能。該器件通常用于需要高效能和低功耗的�(yīng)用場景,例如 DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)、電�(jī)�(qū)動和電源管理電路�
  這款 MOSFET 的封裝形式為 DFN5x6-8L 封裝,具有較小的占位面積和優(yōu)秀的散熱性能,非常適合空間受限的�(shè)��

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�17A
  柵極閾值電壓:1.2V � 2.2V
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.4mΩ(在 Vgs=10V 時)
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):2.4mΩ(在 Vgs=4.5V 時)
  總柵極電荷:29nC
  開關(guān)速度:快�
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C

特�

DMT26M0LDG 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),有助于減少傳導(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
  2. 支持邏輯電平�(qū)動,兼容 3.3V � 5V 系統(tǒng),簡化了�(qū)動電路設(shè)��
  3. 快速開�(guān)性能,適合高頻應(yīng)用場合�
  4. 高額定漏極電流能�,確保在高負(fù)載條件下�(wěn)定運��
  5. 小型化封裝(DFN5x6-8L),節(jié)� PCB 空間�
  6. 寬工作溫度范�,適�(yīng)各種�(huán)境條件下的使用需求�

�(yīng)�

DMT26M0LDG 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)和 DC-DC �(zhuǎn)換器中的主開�(guān)或同步整流元��
  2. 筆記本電腦和平板電腦中的�(fù)載開�(guān)�
  3. 汽車電子系統(tǒng)中的電機(jī)�(qū)動和�(fù)載切��
  4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制模��
  5. 手機(jī)和其他便攜式�(shè)備的電池管理系統(tǒng)(BMS��

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