時間：2025/5/20 15:24:18
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DMT26M0LDG 是一款高性能的 N 灃道開關(guān) MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管），采用邏輯電平驅(qū)動設(shè)計，能夠以較低的柵極驅(qū)動電壓實現(xiàn)高效的導(dǎo)通性能。該器件通常用于需要高效能和低功耗的應(yīng)用場景，例如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動和電源管理電路。
這款 MOSFET 的封裝形式為 DFN5x6-8L 封裝，具有較小的占位面積和優(yōu)秀的散熱性能，非常適合空間受限的設(shè)計。
最大漏源電壓：30V
連續(xù)漏極電流：17A
柵極閾值電壓：1.2V 至 2.2V
導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：1.4mΩ（在 Vgs=10V 時）
導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：2.4mΩ（在 Vgs=4.5V 時）
總柵極電荷：29nC
開關(guān)速度：快速
工作溫度范圍：-55°C 至 +175°C
DMT26M0LDG 具有以下顯著特性：
1. 極低的導(dǎo)通電阻 Rds(on)，有助于減少傳導(dǎo)損耗，提升系統(tǒng)效率。
2. 支持邏輯電平驅(qū)動，兼容 3.3V 和 5V 系統(tǒng)，簡化了驅(qū)動電路設(shè)計。
3. 快速開關(guān)性能，適合高頻應(yīng)用場合。
4. 高額定漏極電流能力，確保在高負(fù)載條件下穩(wěn)定運行。
5. 小型化封裝（DFN5x6-8L），節(jié)省 PCB 空間。
6. 寬工作溫度范圍，適應(yīng)各種環(huán)境條件下的使用需求。
DMT26M0LDG 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源（SMPS）和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的主開關(guān)或同步整流元件。
2. 筆記本電腦和平板電腦中的負(fù)載開關(guān)。
3. 汽車電子系統(tǒng)中的電機(jī)驅(qū)動和負(fù)載切換。
4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制模塊。
5. 手機(jī)和其他便攜式設(shè)備的電池管理系統(tǒng)（BMS）。
