DMT3006LDV 是一款基� MOSFET 技術的雙通道 N 溝道功率場效應晶體管(Power MOSFET�,專為高效能開關應用而設�。該器件采用先進的制造工藝,具有低導通電阻和快速開關特�,適合用于直�-直流轉換�、負載開�、電機驅動等功率管理場景。其封裝形式通常為小型化表面貼裝類型,有助于節(jié)省電路板空間并提高散熱性能�
該型號屬� Diodes 公司旗下� MOSFET 系列產品,廣泛應用于消費電子、通信設備以及工業(yè)控制等領��
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�6.7A
導通電阻:4.5mΩ
柵極電荷�19nC
總電容:205pF
工作溫度范圍�-55� � +150�
DMT3006LDV 的主要特性包括:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,能夠有效降低功率損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 快速的開關速度,支持高頻操�,適用于高頻率電源轉換電��
3. 高電流承載能�,確保在重載條件下依然保持穩(wěn)定運��
4. 強化的熱性能設計,即使在緊湊型封裝下也能實現(xiàn)良好的散熱效��
5. 靜電防護能力增強,提高了器件在實際使用中的可靠性與魯棒��
6. 符合 RoHS 標準,滿足環(huán)保要��
DMT3006LDV 廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源(SMPS)和適配器設計中的同步整流電��
2. 直流-直流轉換器中的功率開關元��
3. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負載切換控��
4. 電機驅動電路中的功率級開��
5. 各類便攜式電子設備中的高效能功率管理模塊�
6. 工業(yè)自動化設備中的信號隔離與功率傳輸控制�
DMT3006LSDV, DMT3006LSN, PSMN1R8-30YLC