DMT3006LFV 是一款基于 DMOS 工藝制造的高性能功率 MOSFET 芯片,專為低電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件采用邏輯電平驅(qū)動(dòng)技術(shù),具有極低的導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)性能,適合用于高效率 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)、電池管理以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用場(chǎng)景。
該芯片封裝形式為 LFPAK56D(Power-SO8 封裝),支持表面貼裝工藝,能夠有效降低熱阻并提高散熱性能。同時(shí),其內(nèi)置的 ESD 保護(hù)功能進(jìn)一步增強(qiáng)了器件在實(shí)際應(yīng)用中的可靠性。
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流:12A
導(dǎo)通電阻:1.4mΩ
柵極電荷:28nC
反向恢復(fù)時(shí)間:9ns
工作溫度范圍:-55℃ 至 150℃
封裝形式:LFPAK56D
DMT3006LFV 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on))僅為 1.4mΩ,可顯著降低導(dǎo)通損耗,提升系統(tǒng)效率。
2. 快速的開關(guān)速度,反向恢復(fù)時(shí)間僅為 9ns,適用于高頻開關(guān)應(yīng)用。
3. 內(nèi)置邏輯電平驅(qū)動(dòng)功能,允許使用較低的柵極驅(qū)動(dòng)電壓(如 5V 或更低),簡(jiǎn)化了電路設(shè)計(jì)。
4. 高電流承載能力,連續(xù)漏極電流高達(dá) 12A,滿足大功率應(yīng)用需求。
5. 封裝熱性能優(yōu)越,能夠有效散出熱量,確保長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行。
6. 支持寬泛的工作溫度范圍(-55℃ 至 150℃),適應(yīng)各種惡劣環(huán)境條件。
DMT3006LFV 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流和降壓轉(zhuǎn)換。
2. 便攜式電子設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)和電池保護(hù)。
3. 汽車電子系統(tǒng)中的電機(jī)控制和電源管理。
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載切換。
5. LED 照明系統(tǒng)的恒流驅(qū)動(dòng)和調(diào)光控制。
由于其低導(dǎo)通電阻和高效率特性,DMT3006LFV 在需要高功率密度和高效率的應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
DMT3006LFT7, DMT3006LFR7