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DMT3006LFV 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/7 16:02:05 查看 閱讀：27

DMT3006LFV 是一款基于 DMOS 工藝制造的高性能功率 MOSFET 芯片，專為低電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件采用邏輯電平驅(qū)動(dòng)技術(shù)，具有極低的導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)性能，適合用于高效率 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)、電池管理以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用場(chǎng)景。
　　該芯片封裝形式為 LFPAK56D（Power-SO8 封裝），支持表面貼裝工藝，能夠有效降低熱阻并提高散熱性能。同時(shí)，其內(nèi)置的 ESD 保護(hù)功能進(jìn)一步增強(qiáng)了器件在實(shí)際應(yīng)用中的可靠性。

參數(shù)

最大漏源電壓：30V
　　連續(xù)漏極電流：12A
　　導(dǎo)通電阻：1.4mΩ
　　柵極電荷：28nC
　　反向恢復(fù)時(shí)間：9ns
　　工作溫度范圍：-55℃ 至 150℃
　　封裝形式：LFPAK56D

特性

DMT3006LFV 的主要特性包括：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)）僅為 1.4mΩ，可顯著降低導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)效率。
　　2. 快速的開關(guān)速度，反向恢復(fù)時(shí)間僅為 9ns，適用于高頻開關(guān)應(yīng)用。
　　3. 內(nèi)置邏輯電平驅(qū)動(dòng)功能，允許使用較低的柵極驅(qū)動(dòng)電壓（如 5V 或更低），簡(jiǎn)化了電路設(shè)計(jì)。
　　4. 高電流承載能力，連續(xù)漏極電流高達(dá) 12A，滿足大功率應(yīng)用需求。
　　5. 封裝熱性能優(yōu)越，能夠有效散出熱量，確保長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行。
　　6. 支持寬泛的工作溫度范圍（-55℃ 至 150℃），適應(yīng)各種惡劣環(huán)境條件。

應(yīng)用

DMT3006LFV 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開關(guān)電源（SMPS）中的同步整流和降壓轉(zhuǎn)換。
　　2. 便攜式電子設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)和電池保護(hù)。
　　3. 汽車電子系統(tǒng)中的電機(jī)控制和電源管理。
　　4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載切換。
　　5. LED 照明系統(tǒng)的恒流驅(qū)動(dòng)和調(diào)光控制。
　　由于其低導(dǎo)通電阻和高效率特性，DMT3006LFV 在需要高功率密度和高效率的應(yīng)用中表現(xiàn)出色。

替代型號(hào)

DMT3006LFT7, DMT3006LFR7

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