DMT6009LSS 是一� N 溝道增強� MOSFET(金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管),專為低電壓、高效率�(yīng)用設(shè)�。該器件采用先進的制造工藝,具有較低的導通電阻和較高的開�(guān)速度,適合在電源管理、負載開�(guān)以及電機�(qū)動等場景中使用�
DMT6009LSS 的封裝形式為 SOT-23,這種小型化封裝使其非常適合空間受限的�(shè)計環(huán)境。其卓越的性能和可靠性使得它成為消費電子、通信�(shè)備及工業(yè)控制�(lǐng)域的理想選擇�
最大漏源電壓:30V
最大柵源電壓:±8V
持續(xù)漏極電流�1.7A
導通電阻:150mΩ
功耗:450mW
工作溫度范圍�-55� � +150�
1. 極低的導通電� (Rds(on)),有助于降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高速開�(guān)能力,適用于高頻電路�
3. 小型化的 SOT-23 封裝,節(jié)� PCB 空間�
4. 較寬的工作溫度范�,確保在極端�(huán)境下依然保持�(wěn)定性能�
5. �(nèi)置反向二極管,提供額外保護功�,避免感�(yīng)電流損壞器件�
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保無鉛設(shè)��
1. 移動�(shè)備中的負載開�(guān)�
2. 電池供電�(chǎn)品的電源管理�
3. 開關(guān)模式電源 (SMPS) 中的同步整流�
4. 電機�(qū)動和小型繼電器替��
5. 各種便攜式電子產(chǎn)品,如智能手�、平板電腦和可穿戴設(shè)備中的電源切換�
6. 信號電平�(zhuǎn)換與保護電路�
DMT6009LS, DMT6009LST, BSS138, FDN340P