DMT6013LFDF是一款基于N溝道增強(qiáng)型MOSFET技�(shù)的功率場(chǎng)效應(yīng)晶體�。該器件采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度和出色的熱性能,適用于多種高頻和大功率�(yīng)用場(chǎng)景�
這款MOSFET廣泛用于�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載開(kāi)�(guān)等領(lǐng)�,能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
型號(hào):DMT6013LFDF
�(lèi)型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
封裝:LFDF(薄型表面貼裝)
VDS(漏源電壓)�60V
RDS(on)(導(dǎo)通電�,典型值)�1.3mΩ
IDS(連續(xù)漏極電流):149A
柵極電荷(Qg):7nC
VGS(th)(柵極開(kāi)啟電壓)�2.5V~4.5V
fSW(最大開(kāi)�(guān)頻率):1MHz
工作溫度范圍�-55℃~+175�
DMT6013LFDF的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電阻(RDS(on)),有助于減少導(dǎo)通損耗并提升整體效率�
2. 超薄封裝�(shè)�(jì),適合空間受限的�(yīng)用場(chǎng)��
3. 高電流處理能力(IDS高達(dá)149A),使其能夠在大功率條件下穩(wěn)定運(yùn)��
4. 快速開(kāi)�(guān)性能,支持高頻應(yīng)�,柵極電�(Qg)僅為7nC�
5. 廣泛的工作溫度范圍(-55℃至+175℃),確保在極端�(huán)境下的可靠��
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(xiàn)代工�(yè)要求�
DMT6013LFDF因其卓越的性能被廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主�(kāi)�(guān)或同步整流元��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率�(jí)控制元件�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的�(kāi)�(guān)元件�
4. 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的�(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)元件�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理模塊�
6. 其他需要高�、高速開(kāi)�(guān)特性的電力電子�(yīng)用�
DMT6012LFDG, DMT6013LDFS