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DN1SS355T1G 發(fā)布時間 時間:2025/5/13 15:26:57 查看 閱讀:22

DN1SS355T1G 是一款由 Diodes 公司生產(chǎn)的 N 溝道邏輯電平增強型 MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。該器件采用 DPAK 封裝形式,廣泛應(yīng)用于電源管理、電機驅(qū)動以及各種開關(guān)應(yīng)用中。其低導(dǎo)通電阻和高效率特性使其非常適合于需要高效能功率轉(zhuǎn)換的場合。
  DN1SS355T1G 的設(shè)計特點是具有較低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),從而減少了功率損耗,并提高了整體系統(tǒng)的效率。同時,它還具備快速開關(guān)能力和良好的熱性能,能夠滿足嚴(yán)苛的工作環(huán)境需求。

參數(shù)

最大漏源電壓:100V
  最大連續(xù)漏極電流:24A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):5.5mΩ
  柵極-源極電壓(Vgs(th)):2.1V
  總功耗:195W
  工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
  封裝形式:DPAK

特性

DN1SS355T1G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(5.5mΩ),有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率。
  2. 支持高漏極電流能力,適合大功率應(yīng)用。
  3. 邏輯電平驅(qū)動兼容性,使得該器件易于與大多數(shù)微控制器或邏輯電路接口。  5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且無鉛。
  6. 提供出色的熱性能,能夠在高溫環(huán)境下穩(wěn)定運行。
  7. 快速開關(guān)速度,減少開關(guān)損耗并提高動態(tài)性能。

應(yīng)用

DN1SS355T1G 被廣泛用于以下應(yīng)用領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的同步整流。
  2. DC/DC 轉(zhuǎn)換器中的高端和低端開關(guān)。
  3. 電池保護電路和負載開關(guān)。
  4. 電機驅(qū)動和控制電路。
  5. 各類工業(yè)和消費類電子設(shè)備中的功率管理模塊。
  6. 太陽能逆變器和其他可再生能源相關(guān)的電力電子系統(tǒng)。
  7. LED 驅(qū)動器中的功率開關(guān)元件。

替代型號

IRFZ44N
  STP16NF06L
  FDP150AN
  AO3400

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