DN1SS400T1G 是一款 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件采用了先進(jìn)的制造工藝,具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開關(guān)速度,適合用于電源管理、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及負(fù)載開關(guān)等應(yīng)用。DN1SS400T1G 采用 TO-263 封裝形式,使其在散熱性能和電氣連接方面表現(xiàn)出色。
最大漏源電壓:400V
連續(xù)漏極電流:1.1A
導(dǎo)通電阻(典型值):1.5Ω
柵極電荷:25nC
開關(guān)時(shí)間:ton=87ns, toff=39ns
工作溫度范圍:-55℃ 至 +150℃
DN1SS400T1G 的主要特性包括以下幾點(diǎn):
1. 高耐壓能力,可承受高達(dá) 400V 的漏源電壓,適用于高壓環(huán)境。
2. 低導(dǎo)通電阻設(shè)計(jì),有助于減少功率損耗并提高效率。
3. 快速開關(guān)能力,能夠滿足高頻應(yīng)用的需求。
4. 較低的柵極電荷,減少了驅(qū)動(dòng)電路的能量需求。
5. 采用 TO-263 封裝,提供良好的熱管理和電氣性能。
6. 工作溫度范圍寬廣,適應(yīng)多種惡劣環(huán)境條件。
該器件適用于廣泛的電子應(yīng)用領(lǐng)域,包括但不限于以下:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)換。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中作為開關(guān)元件。
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的功率控制。
4. 負(fù)載開關(guān)以實(shí)現(xiàn)快速響應(yīng)和低功耗。
5. 電池保護(hù)電路,確保系統(tǒng)安全運(yùn)行。
6. 各類工業(yè)設(shè)備和消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的功率管理解決方案。
STP11NM60S, IRF640N