DN1SS400T1G 是一� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的開�(guān)速度,適合用于電源管理、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載開�(guān)等應(yīng)�。DN1SS400T1G 采用 TO-263 封裝形式,使其在散熱性能和電氣連接方面表現(xiàn)出色�
最大漏源電壓:400V
連續(xù)漏極電流�1.1A
�(dǎo)通電阻(典型值)�1.5Ω
柵極電荷�25nC
開關(guān)�(shí)間:ton=87ns, toff=39ns
工作溫度范圍�-55� � +150�
DN1SS400T1G 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
1. 高耐壓能力,可承受高達(dá) 400V 的漏源電�,適用于高壓�(huán)��
2. 低導(dǎo)通電阻設(shè)�(jì),有助于減少功率損耗并提高效率�
3. 快速開�(guān)能力,能夠滿足高頻應(yīng)用的需��
4. 較低的柵極電�,減少了�(qū)�(dòng)電路的能量需��
5. 采用 TO-263 封裝,提供良好的熱管理和電氣性能�
6. 工作溫度范圍寬廣,適�(yīng)多種惡劣�(huán)境條��
該器件適用于廣泛的電子應(yīng)用領(lǐng)域,包括但不限于以下�
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)��
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中作為開�(guān)元件�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)中的功率控制�
4. �(fù)載開�(guān)以實(shí)�(xiàn)快速響�(yīng)和低功��
5. 電池保護(hù)電路,確保系�(tǒng)安全�(yùn)��
6. 各類工業(yè)�(shè)備和消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的功率管理解決方��
STP11NM60S, IRF640N