DN2540N8-G是一款高性能的N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。該器件采用了先進的制造工�,具備低導通電�、高開關速度和出色的熱性能。其典型應用包括開關電源、DC-DC轉換器、電機驅動以及負載開關等領域�
該器件的封裝形式為TO-252(DPAK),能夠滿足大多數功率電子設計的需�,同時提供優(yōu)異的電氣特性和可靠��
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�39A
導通電阻:1.2mΩ
總功耗:23W
工作結溫范圍�-55℃至+175�
DN2540N8-G的主要特性如下:
1. 極低的導通電阻(Rds(on))使其非常適合于高效的功率轉換應��
2. 快速開關能力減少了開關損耗,提高了整體效��
3. 高雪崩能力和高可靠性確保了器件在嚴苛環(huán)境下的穩(wěn)定運��
4. 小型化的TO-252封裝有助于節(jié)省電路板空間�
5. 符合RoHS標準,環(huán)保無鉛設��
6. 提供卓越的熱性能,支持長時間高負載運��
DN2540N8-G廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源(SMPS)中的同步整��
2. DC-DC轉換器中的高頻開關元��
3. 電機驅動控制電路�
4. 各類負載開關應用�
5. 電池保護和管理電��
6. 工業(yè)自動化設備中的功率控制模塊�
7. 汽車電子系統(tǒng)中的電源管理和驅動電��
IRFZ44N, FDP5500NL, AO4404