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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > DN2540N8-G

DN2540N8-G 發(fā)布時間 時間�2025/5/10 14:48:39 查看 閱讀�27

DN2540N8-G是一款高性能的N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。該器件采用了先進的制造工�,具備低導通電�、高開關速度和出色的熱性能。其典型應用包括開關電源、DC-DC轉換器、電機驅動以及負載開關等領域�
  該器件的封裝形式為TO-252(DPAK),能夠滿足大多數功率電子設計的需�,同時提供優(yōu)異的電氣特性和可靠��

參數

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�39A
  導通電阻:1.2mΩ
  總功耗:23W
  工作結溫范圍�-55℃至+175�

特�

DN2540N8-G的主要特性如下:
  1. 極低的導通電阻(Rds(on))使其非常適合于高效的功率轉換應��
  2. 快速開關能力減少了開關損耗,提高了整體效��
  3. 高雪崩能力和高可靠性確保了器件在嚴苛環(huán)境下的穩(wěn)定運��
  4. 小型化的TO-252封裝有助于節(jié)省電路板空間�
  5. 符合RoHS標準,環(huán)保無鉛設��
  6. 提供卓越的熱性能,支持長時間高負載運��

應用

DN2540N8-G廣泛應用于以下領域:
  1. 開關電源(SMPS)中的同步整��
  2. DC-DC轉換器中的高頻開關元��
  3. 電機驅動控制電路�
  4. 各類負載開關應用�
  5. 電池保護和管理電��
  6. 工業(yè)自動化設備中的功率控制模塊�
  7. 汽車電子系統(tǒng)中的電源管理和驅動電��

替代型號

IRFZ44N, FDP5500NL, AO4404

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dn2540n8-g參數

  • 制造商Supertex
  • 產品種類MOSFET
  • 晶體管極�N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓400 V
  • �/源擊穿電�+/- 20 V
  • 漏極連續(xù)電流170 mA
  • 電阻汲極/源極 RDS(導通)25 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作溫�+ 150 C
  • 安裝風格SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體SOT-89 (TO-243AA)
  • 封裝Reel
  • 下降時間15 ns
  • 最小工作溫�- 55 C
  • 功率耗散1.6 W
  • 上升時間15 ns
  • 工廠包裝數量2000
  • 典型關閉延遲時間15 ns