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DS-2R5H334U-HL 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/4/28 18:48:04 查看 閱讀：30

DS-2R5H334U-HL 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，采用先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝設(shè)計(jì)。該芯片廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、逆變器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的場(chǎng)景中。其出色的導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性使其在高效率和高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
　　這款 MOSFET 屬于 N 溝道增強(qiáng)型器件，能夠承受較高的漏源電壓，并提供較低的導(dǎo)通電阻以減少功率損耗。同時(shí)，其封裝形式也經(jīng)過優(yōu)化，可以有效降低熱阻，提高散熱性能。

參數(shù)

類型：N溝道增強(qiáng)型 MOSFET
　　最大漏源電壓（Vds）：600V
　　最大柵源電壓（Vgs）：±20V
　　連續(xù)漏極電流（Id）：12A
　　導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：0.3Ω
　　總功耗（Ptot）：200W
　　工作溫度范圍：-55°C 至 +175°C
　　封裝形式：TO-247

特性

DS-2R5H334U-HL 具有以下顯著特性：
　　1. 高耐壓能力：支持高達(dá) 600V 的漏源電壓，適用于高壓環(huán)境下的功率轉(zhuǎn)換。
　　2. 低導(dǎo)通電阻：其 Rds(on) 僅為 0.3Ω，在大電流應(yīng)用中能夠顯著降低傳導(dǎo)損耗。
　　3. 快速開關(guān)速度：優(yōu)化的柵極電荷設(shè)計(jì)使得開關(guān)時(shí)間更短，適合高頻開關(guān)應(yīng)用。
　　4. 高可靠性：具備良好的雪崩能力和魯棒性，能夠在極端條件下穩(wěn)定工作。
　　5. 熱性能優(yōu)異：采用 TO-247 封裝，具有較低的熱阻，有助于提升整體系統(tǒng)的散熱效果。

應(yīng)用

DS-2R5H334U-HL 可應(yīng)用于多種領(lǐng)域：
　　1. 開關(guān)電源（SMPS）：作為主功率開關(guān)元件，實(shí)現(xiàn)高效的 AC-DC 或 DC-DC 轉(zhuǎn)換。
　　2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)：用于控制直流無刷電機(jī)或步進(jìn)電機(jī)的運(yùn)行狀態(tài)。
　　3. 逆變器：在光伏逆變器或其他類型的逆變器中提供高效的功率轉(zhuǎn)換。
　　4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備：如可編程邏輯控制器（PLC）、伺服驅(qū)動(dòng)器等中的功率管理部分。
　　5. 充電器：包括電動(dòng)車充電樁、筆記本電腦適配器等產(chǎn)品的核心功率組件。

替代型號(hào)

IRF840, STP12NM60, FDP18N60

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