DS-2R5H334U-HL 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,采用先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝設(shè)計(jì)。該芯片廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、逆變器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的場(chǎng)景中。其出色的導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性使其在高效率和高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
這款 MOSFET 屬于 N 溝道增強(qiáng)型器件,能夠承受較高的漏源電壓,并提供較低的導(dǎo)通電阻以減少功率損耗。同時(shí),其封裝形式也經(jīng)過優(yōu)化,可以有效降低熱阻,提高散熱性能。
類型:N溝道增強(qiáng)型 MOSFET
最大漏源電壓(Vds):600V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):12A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):0.3Ω
總功耗(Ptot):200W
工作溫度范圍:-55°C 至 +175°C
封裝形式:TO-247
DS-2R5H334U-HL 具有以下顯著特性:
1. 高耐壓能力:支持高達(dá) 600V 的漏源電壓,適用于高壓環(huán)境下的功率轉(zhuǎn)換。
2. 低導(dǎo)通電阻:其 Rds(on) 僅為 0.3Ω,在大電流應(yīng)用中能夠顯著降低傳導(dǎo)損耗。
3. 快速開關(guān)速度:優(yōu)化的柵極電荷設(shè)計(jì)使得開關(guān)時(shí)間更短,適合高頻開關(guān)應(yīng)用。
4. 高可靠性:具備良好的雪崩能力和魯棒性,能夠在極端條件下穩(wěn)定工作。
5. 熱性能優(yōu)異:采用 TO-247 封裝,具有較低的熱阻,有助于提升整體系統(tǒng)的散熱效果。
DS-2R5H334U-HL 可應(yīng)用于多種領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS):作為主功率開關(guān)元件,實(shí)現(xiàn)高效的 AC-DC 或 DC-DC 轉(zhuǎn)換。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng):用于控制直流無刷電機(jī)或步進(jìn)電機(jī)的運(yùn)行狀態(tài)。
3. 逆變器:在光伏逆變器或其他類型的逆變器中提供高效的功率轉(zhuǎn)換。
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備:如可編程邏輯控制器(PLC)、伺服驅(qū)動(dòng)器等中的功率管理部分。
5. 充電器:包括電動(dòng)車充電樁、筆記本電腦適配器等產(chǎn)品的核心功率組件。
IRF840, STP12NM60, FDP18N60