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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > DS-2R5H334U-HL

DS-2R5H334U-HL 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/28 18:48:04 查看 閱讀�30

DS-2R5H334U-HL 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝設(shè)�(jì)。該芯片廣泛�(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(chǎng)景中。其出色的導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性使其在高效率和高頻�(yīng)用中表現(xiàn)出色�
  這款 MOSFET 屬于 N 溝道增強(qiáng)型器�,能夠承受較高的漏源電壓,并提供較低的導(dǎo)通電阻以減少功率損�。同�(shí),其封裝形式也經(jīng)過優(yōu)化,可以有效降低熱阻,提高散熱性能�

參數(shù)

類型:N溝道增強(qiáng)� MOSFET
  最大漏源電壓(Vds):600V
  最大柵源電壓(Vgs):±20V
  連續(xù)漏極電流(Id):12A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):0.3Ω
  總功耗(Ptot):200W
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C
  封裝形式:TO-247

特�

DS-2R5H334U-HL 具有以下顯著特性:
  1. 高耐壓能力:支持高�(dá) 600V 的漏源電�,適用于高壓�(huán)境下的功率轉(zhuǎn)��
  2. 低導(dǎo)通電阻:� Rds(on) 僅為 0.3Ω,在大電流應(yīng)用中能夠顯著降低傳導(dǎo)損耗�
  3. 快速開�(guān)速度:優(yōu)化的柵極電荷�(shè)�(jì)使得開關(guān)�(shí)間更�,適合高頻開�(guān)�(yīng)��
  4. 高可靠性:具備良好的雪崩能力和魯棒性,能夠在極端條件下�(wěn)定工��
  5. 熱性能�(yōu)異:采用 TO-247 封裝,具有較低的熱阻,有助于提升整體系統(tǒng)的散熱效��

�(yīng)�

DS-2R5H334U-HL 可應(yīng)用于多種�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS):作為主功率開�(guān)元件,實(shí)�(xiàn)高效� AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)��
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):用于控制直流無刷電�(jī)或步�(jìn)電機(jī)的運(yùn)行狀�(tài)�
  3. 逆變器:在光伏逆變器或其他類型的逆變器中提供高效的功率轉(zhuǎn)��
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備:如可編程邏輯控制器(PLC�、伺服驅(qū)�(dòng)器等中的功率管理部分�
  5. 充電器:包括電動(dòng)車充電樁、筆記本電腦適配器等�(chǎn)品的核心功率組件�

替代型號(hào)

IRF840, STP12NM60, FDP18N60

ds-2r5h334u-hl推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)