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DS1220Y-150IND+ 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/30 23:03:43 查看 閱讀:8

DS1220Y 是一款由 Maxim Integrated 生產(chǎn)的非易失性 SRAM (NVSRAM) 芯片,具有靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器的功能,并結(jié)合了非易失性特性。這種芯片可以在掉電時(shí)通過內(nèi)置的 EEPROM 自動保存數(shù)據(jù),從而確保數(shù)據(jù)不丟失。
  該器件通常用于需要高可靠性和快速訪問速度的應(yīng)用場景,例如工業(yè)控制、醫(yī)療設(shè)備和通信系統(tǒng)等。DS1220Y-150IND+ 特指其封裝為 SOIC-8 的版本。

參數(shù)

存儲容量:32Kb (4096 x 8)
  工作電壓:3V 至 5.5V
  工作溫度范圍:-40°C 至 +85°C
  數(shù)據(jù)保存時(shí)間:超過10年
  寫入周期:無限制(無限次讀寫)
  封裝類型:SOIC-8
  引腳數(shù)量:8

特性

DS1220Y 提供了高度可靠的非易失性存儲功能,其主要特性包括:
  1. 集成了 SRAM 和 EEPROM 功能,提供高速讀寫性能的同時(shí)保證斷電后數(shù)據(jù)的安全性。
  2. 內(nèi)置自動數(shù)據(jù)保存電路,在掉電瞬間將 SRAM 中的數(shù)據(jù)無縫轉(zhuǎn)移到 EEPROM。
  3. 具備無限次寫入周期,解決了傳統(tǒng) EEPROM 在寫入次數(shù)上的限制。
  4. 提供較寬的工作電壓范圍(3V 至 5.5V),適用于多種電源環(huán)境。
  5. 支持標(biāo)準(zhǔn) CMOS 數(shù)字接口,與微控制器或 DSP 等主控單元兼容性良好。
  6. 小型化封裝(如 SOIC-8),適合空間受限的設(shè)計(jì)應(yīng)用。

應(yīng)用

DS1220Y 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 工業(yè)自動化設(shè)備中的數(shù)據(jù)記錄和配置保存。
  2. 醫(yī)療儀器中關(guān)鍵參數(shù)的存儲,如監(jiān)護(hù)儀、血糖儀等。
  3. 通信系統(tǒng)中的網(wǎng)絡(luò)配置信息和日志記錄。
  4. 消費(fèi)電子產(chǎn)品的用戶設(shè)置和校準(zhǔn)數(shù)據(jù)存儲。
  5. 數(shù)據(jù)采集模塊中臨時(shí)緩存數(shù)據(jù)的保護(hù)。
  6. 嵌入式系統(tǒng)中的非易失性存儲解決方案,尤其是對速度和可靠性要求較高的場合。

替代型號

DS1220Y-100+, DS1220Y-250+, DS1225

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