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DS1220Y-200IND+ 發(fā)布時間 時間:2025/5/15 15:14:56 查看 閱讀:13

DS1220Y是一款由Maxim Integrated生產(chǎn)的非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(NVSRAM),具有電池支持的備份功能,可以在主電源中斷時保護(hù)數(shù)據(jù)。該芯片結(jié)合了高速CMOS SRAM與智能電源管理電路,確保數(shù)據(jù)在斷電后仍然可以保存。
  DS1220Y系列提供多種容量選擇,其中DS1220Y-200IND+是2K x 8位版本,采用SOIC封裝。這種芯片廣泛應(yīng)用于需要高可靠性、實(shí)時數(shù)據(jù)存儲和斷電保護(hù)的應(yīng)用場景。

參數(shù)

存儲容量:2KB (2K x 8)
  工作電壓:3V至5.5V
  待機(jī)電流:5μA(典型值)
  工作溫度范圍:-40°C 至 +85°C
  封裝類型:SOIC-16
  存取時間:70ns(最大值)
  數(shù)據(jù)保持時間:10年(最小值)

特性

DS1220Y-200IND+的主要特點(diǎn)是其內(nèi)置的自動電源管理功能,當(dāng)檢測到主電源電壓下降時,它會切換到備用電池供電模式以保護(hù)存儲的數(shù)據(jù)。
  此外,該芯片還具有低功耗特性,能夠在長時間內(nèi)維持?jǐn)?shù)據(jù)完整性。其高集成度設(shè)計簡化了系統(tǒng)級設(shè)計復(fù)雜度,并提供了出色的抗干擾性能,非常適合對可靠性和速度有較高要求的應(yīng)用。
  由于使用標(biāo)準(zhǔn)SRAM接口,DS1220Y兼容大多數(shù)微控制器和其他數(shù)字設(shè)備,從而進(jìn)一步增強(qiáng)了其靈活性和適用性。
  此芯片還具有極低的讀寫延遲,可實(shí)現(xiàn)快速數(shù)據(jù)傳輸,同時具備優(yōu)秀的電氣特性和機(jī)械穩(wěn)定性,適合工業(yè)和商業(yè)應(yīng)用環(huán)境。

應(yīng)用

DS1220Y-200IND+適用于多種需要高可靠性數(shù)據(jù)存儲的應(yīng)用領(lǐng)域,包括但不限于:
  1. 工業(yè)控制設(shè)備中的數(shù)據(jù)日志記錄和設(shè)置保存。
  2. 醫(yī)療設(shè)備中的關(guān)鍵參數(shù)備份。
  3. 儀表儀器中的測量結(jié)果存儲。
  4. 網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備中的配置文件保護(hù)。
  5. POS機(jī)和金融終端中的交易記錄保存。
  6. 汽車電子系統(tǒng)中的行駛數(shù)據(jù)記錄。
  其快速響應(yīng)時間和高可靠性使其成為這些應(yīng)用的理想選擇。

替代型號

DS1220Y-200+, DS1220Y-200G, DS1220Y-200I

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ds1220y-200ind+參數(shù)

  • 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊Lead (SnPb) Finish for COTSObsolescence Mitigation Program
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝14
  • 類別集成電路 (IC)
  • 家庭存儲器
  • 系列-
  • 格式 - 存儲器RAM
  • 存儲器類型NVSRAM(非易失 SRAM)
  • 存儲容量16K (2K x 8)
  • 速度200ns
  • 接口并聯(lián)
  • 電源電壓4.5 V ~ 5.5 V
  • 工作溫度-40°C ~ 85°C
  • 封裝/外殼24-DIP 模塊(0.600",15.24mm)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝24-EDIP
  • 包裝管件