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DS1225AB-100IND 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/3 23:23:24 查看 閱讀�9

DS1225AB-100IND 是一款由 Maxim Integrated(現(xiàn)� Analog Devices)生�(chǎn)的雙通道 CMOS 靜電存儲(chǔ)器(SRAM�。該器件采用低功耗設(shè)�(jì),適用于需要高速數(shù)�(jù)訪問和高可靠性的�(yīng)用。其�(nèi)部集成了兩�(gè)�(dú)立的 SRAM 存儲(chǔ)�,每�(gè)存儲(chǔ)器具有相同的特��
  DS1225AB-100IND 提供了快速的�(shù)�(jù)存取能力,并且支持靜�(tài)�(yùn)行模�,這意味著即使在時(shí)鐘信�(hào)停止的情況下,數(shù)�(jù)仍能保持完整。此�,該芯片還具備自�(dòng)省電功能,能夠在閑置狀�(tài)下降低功��

參數(shù)

類型:SRAM
  容量�2K x 8 bits (每通道)
  供電電壓�4.5V � 5.5V
  工作電流�3mA(典型值)
  待機(jī)電流�20μA(最大值)
  訪問�(shí)間:150ns(最大值)
  封裝形式:SOIC-16
  工作溫度范圍�0°C � +70°C

特�

DS1225AB-100IND 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
  1. 高速性能:其訪問�(shí)間為 150 納秒,可滿足�(duì)�(shí)�(shí)性和速度要求較高的應(yīng)用場(chǎng)��
  2. 雙通道�(dú)立操作:兩�(gè) SRAM 通道可以分別�(jìn)行讀寫操作,提供更高的靈活性和并行處理能力�
  3. 靜態(tài)存儲(chǔ):無需刷新即可長期保存�(shù)�(jù),簡化了系統(tǒng)�(shè)�(jì)并降低了功耗�
  4. 自動(dòng)省電模式:當(dāng)�(shè)備處于非活動(dòng)狀�(tài)�(shí),會(huì)自動(dòng)切換到低功耗模式以減少能量消��
  5. 寬電壓范圍:支持 4.5V � 5.5V 的工作電�,適�(yīng)多種電源�(huán)境�
  6. 小型封裝:SOIC-16 封裝使其易于集成到空間受限的�(shè)�(jì)��

�(yīng)�

DS1225AB-100IND 廣泛�(yīng)用于需要快速數(shù)�(jù)存儲(chǔ)和處理的�(chǎng)�,具體包括:
  1. 工業(yè)控制:如 PLC、自�(dòng)化設(shè)備等,用于臨�(shí)�(shù)�(jù)緩沖或配置參�(shù)存儲(chǔ)�
  2. 通信�(shè)備:路由器、交換機(jī)中的緩存存儲(chǔ),以提高�(shù)�(jù)傳輸效率�
  3. �(yī)療儀器:心電圖機(jī)、超聲波�(shè)備等需要快速響�(yīng)和穩(wěn)定性的�(yī)療領(lǐng)��
  4. 消費(fèi)電子:數(shù)碼相�(jī)、打印機(jī)等產(chǎn)品中的臨�(shí)�(shù)�(jù)緩存�
  5. 嵌入式系�(tǒng):作為嵌入式處理器的外部存儲(chǔ)�(kuò)�,提供額外的�(nèi)存資源�

替代型號(hào)

DS1225Y, DS1225Z, IS61C2516

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