DS1225 是一款雙通道、低功耗的CMOS靜態(tài)RAM (SRAM),具有非易失性數據存儲功�。該芯片內置鋰電�,能夠在主電源斷電的情況下保存數據長�10�。DS1225AD-100IND是DS1225系列中的一個特定型�,采用SOIC封裝形式,適合工�(yè)和商�(yè)應用�
這款芯片結合了SRAM的速度與非易失性存儲的�(yōu)�,廣泛應用于需要實時數據保存且對功耗敏感的應用場景中�
容量�32K x 8位(256字節(jié)�
工作電壓:VCC = 3.0V � 5.5V
待機電流:≤1 μA(典型值)
讀/寫周期時間:70ns
溫度范圍�-40°C � +85°C
封裝形式:SOIC-8
非易失性保持時間:�10年(電池供電下)
DS1225AD-100IND的主要特性包括:
1. 內置鋰電池支持非易失性數據存�,在主電源斷開時仍能保留數據�
2. 靜態(tài)RAM結構�??焖僭L問時間和低功耗操作�
3. 提供獨立的CE和OE控制引腳,便于靈活的接口設計�
4. 工作電壓范圍寬,兼容多種系統(tǒng)架構�
5. 高可靠性設�,適用于工業(yè)和高要求�(huán)境�
6. 芯片具備極低的待機電�,延長電池壽��
DS1225AD-100IND主要應用于以下領域:
1. 工業(yè)自動化設備中的配置參數存��
2. �(yī)療儀器中的臨時數據緩沖和關鍵信息保存�
3. POS機和金融終端的數據暫��
4. 嵌入式系�(tǒng)的固件備份和非易失性數據記��
5. 數據采集系統(tǒng)中的高速緩存及斷電保護�
6. 測量儀表和遠程�(jiān)控設備中的歷史數據存��
DS1225Y-100, DS1225Z-100