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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > DS1225Y-150+

DS1225Y-150+ 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/29 19:04:44 查看 閱讀�24

DS1225Y-150+ 是一款由 Maxim Integrated(現(xiàn)� Analog Devices)生�(chǎn)的雙通道非易失性靜�(tài)隨機(jī)存取存儲� (NVSRAM),具有掉電保�(hù)功能。它集成了高� CMOS SRAM 和鋰電池,能夠在系統(tǒng)斷電�(shí)自動(dòng)切換到備用電源以保存�(shù)�(jù)。DS1225Y-150+ 的工作電壓范圍為 4.5V � 5.5V,具有低功耗特�,適合需要長�(shí)間數(shù)�(jù)保持的應(yīng)用場��
  該芯片采� SOIC-8 封裝形式,適用于工業(yè)控制、儀表設(shè)�、通信系統(tǒng)以及�(shù)�(jù)記錄等需要高可靠性和非易失性存儲的場合�

參數(shù)

工作電壓�4.5V � 5.5V
  存儲容量�256 字節(jié)(兩�(gè)�(dú)立的 128 字節(jié)通道�
  �(shù)�(jù)保持�(shí)間:10 年(典型�,在電池支持下)
  工作溫度范圍�-40°C � +85°C
  寫入周期:無限制(SRAM 特性)
  封裝形式:SOIC-8
  引腳間距�1.27mm

特�

DS1225Y-150+ 提供了高可靠性與便捷性的非易失性存儲解決方案�
  1. 雙通道�(shè)�(jì):分為兩�(gè)�(dú)立的 128 字節(jié)存儲區(qū)�,便于分區(qū)管理�(shù)�(jù)�
  2. 掉電保護(hù):在主電源失效時(shí),內(nèi)置鋰電池�(huì)無縫接管供電,確保數(shù)�(jù)完整��
  3. 快速讀寫速度:基� SRAM 技�(shù),訪問時(shí)間極�,滿足實(shí)�(shí)�(yīng)用需��
  4. 長壽命數(shù)�(jù)保持:即使在沒有外部電源的情況下,數(shù)�(jù)仍能保存長達(dá)十年�
  5. 簡化�(shè)�(jì):無需額外的控制電路或�(fù)雜的編程操作即可使用�
  6. 節(jié)省空間:SOIC-8 小型封裝非常適合對尺寸敏感的�(shè)�(jì)�

�(yīng)�

DS1225Y-150+ 主要�(yīng)用于需要穩(wěn)定性和非易失性存儲的�(guān)鍵領(lǐng)域:
  1. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備:� PLC 控制器中的數(shù)�(jù)日志記錄和參�(shù)保存�
  2. �(yī)療設(shè)備:例如�(jiān)�(hù)儀和診斷設(shè)備中的病人數(shù)�(jù)存儲�
  3. �(jì)量儀表:智能電表、水表和氣表中用于累積數(shù)�(jù)存儲�
  4. �(shù)�(jù)采集系統(tǒng):在�(yuǎn)程監(jiān)控節(jié)�(diǎn)中存儲關(guān)鍵測量數(shù)�(jù)�
  5. 通信系統(tǒng):網(wǎng)�(luò)�(shè)備中的配置文件和狀�(tài)信息存儲�
  6. 嵌入式系�(tǒng):通用嵌入式控制器的數(shù)�(jù)暫存和恢�(fù)�

替代型號

DS1225Y-150, DS1225Y, DS1225

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ds1225y-150+參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊Lead (SnPb) Finish for COTSObsolescence Mitigation Program
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝12
  • 類別集成電路 (IC)
  • 家庭存儲�
  • 系列-
  • 格式 - 存儲�RAM
  • 存儲器類�NVSRAM(非易失 SRAM�
  • 存儲容量64K (8K x 8)
  • 速度150ns
  • 接口并聯(lián)
  • 電源電壓4.5 V ~ 5.5 V
  • 工作溫度0°C ~ 70°C
  • 封裝/外殼28-DIP 模塊�0.600"�15.24mm�
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�28-EDIP
  • 包裝管件