DS1225Y-150IND 是一款由 Maxim Integrated(現(xiàn)� Analog Devices 旗下)生�(chǎn)的雙通道非易失性靜�(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)� (NV-SRAM)。該芯片�(jié)合了高� SRAM 和非易失性存�(chǔ)技�(shù),能夠在斷電�(shí)自動(dòng)保存�(shù)�(jù)。它廣泛�(yīng)用于需要高可靠�、低延遲和非易失性數(shù)�(jù)存儲(chǔ)的場(chǎng)景�
DS1225 提供兩�(gè)�(dú)立的存儲(chǔ)通道,每�(gè)通道具有單獨(dú)的地址和數(shù)�(jù)�,支持并行訪�(wèn)。其非易失性功能通過(guò)�(nèi)部的 EEPROM 或電池備份實(shí)�(xiàn),確保數(shù)�(jù)在電源中斷時(shí)不會(huì)丟失�
類型:雙通道 NV-SRAM
容量�2K x 8 bits (每通道 1K x 8 bits)
工作電壓�4.5V � 5.5V
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
�(shù)�(jù)保持�(shí)間:10 年(使用�(nèi)部電池備份)
封裝形式�28 引腳 DIP � SOIC
訪問(wèn)�(shí)間:150ns
�(xiě)周期:無(wú)需單獨(dú)�(xiě)周期,即�(shí)�(xiě)�
DS1225Y-150IND 的主要特性包括:
1. 高速性能:提� 150ns 的快速訪�(wèn)�(shí)�,適用于�(shí)�(shí)�(shù)�(jù)處理�(yīng)用�
2. 雙通道�(shè)�(jì):支持兩組獨(dú)立的�(shù)�(jù)流同�(shí)操作,提高系�(tǒng)效率�
3. 自動(dòng)�(shù)�(jù)保存:內(nèi)置控制邏�,在電源下降�(shí)自動(dòng)� SRAM �(shù)�(jù)傳輸?shù)椒且资源鎯?chǔ)器中�
4. 高可靠性:�(jīng)�(guò)�(yán)格的�(cè)試流程,確保在惡劣環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)��
5. 易于集成:兼容標(biāo)�(zhǔn) SRAM 接口,簡(jiǎn)化了與現(xiàn)有系�(tǒng)的集成過(guò)程�
6. 非易失性存�(chǔ):即使在斷電情況下也能保留關(guān)鍵數(shù)�(jù),避免系�(tǒng)重啟�(shí)的數(shù)�(jù)丟失�
7. 耐用性:可承受多次寫(xiě)�/擦除循環(huán),使用壽命長(zhǎng)�
這些特性使� DS1225 成為工業(yè)控制、醫(yī)療設(shè)�、通信系統(tǒng)和數(shù)�(jù)記錄儀的理想選擇�
DS1225Y-150IND 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 工業(yè)自動(dòng)化:用于控制�、PLC 和數(shù)�(jù)采集系統(tǒng)中的非易失性數(shù)�(jù)存儲(chǔ)�
2. �(yī)療設(shè)備:如監(jiān)�(hù)儀和分析儀,需要可靠地存儲(chǔ)患者數(shù)�(jù)和校�(zhǔn)信息�
3. 通信�(shè)備:路由器、交換機(jī)等需要實(shí)�(shí)記錄配置參數(shù)和狀�(tài)信息的場(chǎng)��
4. �(shù)�(jù)記錄儀:用于存�(chǔ)�(guān)鍵事件日志或傳感器數(shù)�(jù),例如飛行數(shù)�(jù)記錄儀�
5. �(jì)�?jī)x表:如智能電�、水表和氣表,用于記錄用量和歷史�(shù)�(jù)�
6. 嵌入式系�(tǒng):任何需要快速訪�(wèn)和高可靠性的非易失性存�(chǔ)解決方案的應(yīng)��
DS1225 的高性能和可靠性使其成為上述應(yīng)用中的重要組件�
DS1230Y-150IND, DS1245Y-150IND