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DS1225Y-200 發(fā)布時間 時間�2025/5/8 18:54:06 查看 閱讀�29

DS1225Y-200 � Maxim Integrated 生產(chǎn)的一款非易失性靜�(tài)隨機(jī)存取存儲� (NVSRAM),它�(jié)合了�(biāo)�(zhǔn) SRAM 的高速性能與非易失性存儲功�。該器件具有電池備份選項(xiàng),可以在主電源斷電時保護(hù)�(shù)�(jù)完整�。DS1225Y-200 采用 CMOS 工藝制�,提供低功耗和高可靠�,適用于需要頻繁寫入和長期�(shù)�(jù)保存的應(yīng)用場��
  DS1225Y-200 提供 32K x 8 位的存儲容量,總?cè)萘繛?256Kb,并支持多種工業(yè)�(biāo)�(zhǔn)接口�(xié)議。其�(shè)計注重耐用性和抗干擾能�,在惡劣�(huán)境下依然能夠保持�(wěn)定工��

參數(shù)

存儲容量�256Kb
  組織�(jié)�(gòu)�32K x 8
  工作電壓范圍�4.5V � 5.5V
  待機(jī)電流:小� 5μA(典型值)
  讀/寫周期:70ns(最大值)
  封裝形式�28 引腳 SOIC、PDIP
  工作溫度范圍�-40°C � +85°C
  �(shù)�(jù)保留時間:大� 10 年(在電池供電情況下�

特�

DS1225Y-200 具有以下主要特性:
  1. 高速讀寫性能,支持高�(dá) 70ns 的訪問時間�
  2. 集成了非易失性存儲功�,可確保�(shù)�(jù)在斷電后不會丟失�
  3. 支持電池備份模式,允許用戶在主電源失效時繼續(xù)保存�(guān)鍵數(shù)�(jù)�
  4. 極低的功耗設(shè)�,尤其在待機(jī)狀�(tài)下電流消耗極小�
  5. 寬工作溫度范�,適�(yīng)各種工業(yè)�(huán)��
  6. 高可靠�,能夠承受多次讀寫操作而不會影響數(shù)�(jù)完整��
  7. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(xiàn)代電子設(shè)備的要求�
  8. 提供多種封裝選擇,便于靈活集成到不同類型的電路板中�

�(yīng)�

DS1225Y-200 因其高性能和非易失性存儲能�,廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 工業(yè)自動化系�(tǒng)中的配置參數(shù)存儲�
  2. �(yī)療設(shè)備的�(shù)�(jù)記錄與備��
  3. 通信�(shè)備的�(guān)鍵信息保��
  4. 計量儀表(如智能電表)中的歷史�(shù)�(jù)存儲�
  5. 嵌入式系�(tǒng)中的固件或臨時數(shù)�(jù)保存�
  6. 航空航天及國防領(lǐng)域的高可靠性存儲需��
  7. POS 終端和其他金融設(shè)備的�(shù)�(jù)日志存儲�
  其快速響�(yīng)時間和高可靠性使其成為許多實(shí)時數(shù)�(jù)采集和控制系�(tǒng)的核心組件�

替代型號

DS1225Y-100, DS1225Y+

ds1225y-200推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
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ds1225y-200參數(shù)

  • 制造商Maxim Integrated Products
  • �(shù)�(jù)總線寬度8 bit
  • 存儲容量64 Kbit
  • 組織8 K x 8
  • 接口類型Parallel
  • 訪問時間200 ns
  • Supply Voltage - Max5.5 V
  • Supply Voltage - Min4.5 V
  • 工作電流75 mA
  • 最大工作溫�+ 70 C
  • 最小工作溫�0 C
  • 封裝 / 箱體EDIP-28
  • 安裝�(fēng)�Through Hole