DS1225Y-70 是一款雙通道非易失性靜�(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)� (NVSRAM),具有兩�(gè)�(dú)立的存儲(chǔ)陣列,支持字節(jié)寬度和字寬度兩種配置。該芯片采用 Dallas Semiconductor 的專利技�(shù),結(jié)合了 SRAM 的高速度� EEPROM 的非易失性特�。它�(nèi)置鋰電池或外部電容器作為備用電源,在主電源斷電時(shí)可保�?jǐn)?shù)�(jù)完整��
DS1225Y-70 還具備自�(dòng)切換功能,能夠在主電源正常工作時(shí)使用 SRAM 模式,而在斷電�(shí)無縫切換到非易失性模式保存數(shù)�(jù)。這種�(shè)�(jì)非常適合需要高可靠性和頻繁寫入的應(yīng)用場(chǎng)��
存儲(chǔ)容量�2K x 8 bits�16Kb�
工作電壓�4.5V � 5.5V
備用電源電壓�2.0V � 3.6V
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
訪問�(shí)間:70ns
封裝形式:DIP-8, SOIC-8
�(shù)�(jù)保留�(shí)間:10年(典型值)
寫入周期:無限制(SRAM 模式下)
非易失性寫入時(shí)間:小于 10ms
DS1225Y-70 具有以下主要特性:
1. 雙通道�(jié)�(gòu),允許同�(shí)操作兩�(gè)�(dú)立的存儲(chǔ)陣列�
2. 高速訪問能�,訪問時(shí)間為 70ns,適合實(shí)�(shí)�(shù)�(jù)記錄和處��
3. 自動(dòng)電源切換功能,無需外部控制邏輯即可�(shí)�(xiàn)主電源和備用電源之間的平滑過��
4. �(nèi)置保�(hù)�(jī)�,防止在電源波動(dòng)期間�(fā)生數(shù)�(jù)丟失或損��
5. 支持無限次寫入(� SRAM 模式下),避免了傳統(tǒng) EEPROM 的寫入次�(shù)限制問題�
6. 封裝小巧,便于集成到空間受限的設(shè)�(jì)中�
DS1225Y-70 廣泛�(yīng)用于�(duì)�(shù)�(jù)可靠性要求較高的�(lǐng)�,包括但不限于:
1. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的參�(shù)存儲(chǔ)�
2. �(yī)療儀器的�(shù)�(jù)記錄功能�
3. 電力�(jiān)控系�(tǒng)中的事件日志保存�
4. POS �(jī)和金融終端的�(guān)鍵交易信息備份�
5. �(cè)�?jī)x器的校準(zhǔn)�(shù)�(jù)存儲(chǔ)�
6. 嵌入式系�(tǒng)中的臨時(shí)緩存及長(zhǎng)期存�(chǔ)解決方案�
DS1225Y-100, DS1225Q-70, DS1225Q-100