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DS1230AB-150+ 發(fā)布時間 時間�2025/5/13 11:45:43 查看 閱讀�14

DS1230AB-150+ � Maxim Integrated(現(xiàn)� Analog Devices 旗下)生�(chǎn)的一款非易失� SRAM (NVSRAM) 芯片。該芯片�(jié)合了高速靜�(tài)隨機存取存儲�(SRAM)和非易失性鐵電存儲器(FRAM),能夠在斷電時自動保存SRAM中的�(shù)�(jù)到FRAM中,確保�(shù)�(jù)的完整��
  DS1230AB-150+ 支持 I2C 接口通信,并且具有低功耗、高可靠性和快速寫入的特點,適用于需要頻繁數(shù)�(jù)記錄和斷電保護的�(yīng)用場��

參數(shù)

工作電壓�2.7V�5.5V
  存儲容量�32Kb (4096 字節(jié))
  I2C接口速度:支持標準模�(100kHz)和快速模�(400kHz)
  工作溫度范圍�-40°C � +85°C
  封裝形式�8引腳 SOIC 封裝
  �(shù)�(jù)保持時間:超�10�
  寫入周期:無限制(由FRAM特性決定)

特�

DS1230AB-150+ 具有以下顯著特性:
  1. 非易失性:�(nèi)� FRAM 存儲器可以保證在斷電情況下保� SRAM 中的�(shù)�(jù),無需額外電池或超級電容支��
  2. 自動�(shù)�(jù)備份:通過集成的電源監(jiān)測電�,在檢測到掉電事件時,會� SRAM �(shù)�(jù)自動傳輸?shù)?FRAM 中保��
  3. 快速寫入:FRAM 技�(shù)提供快速寫入能力,不需要寫入前擦除操作,大幅提高數(shù)�(jù)更新效率�
  4. 高可靠性:由于 FRAM 的耐久性,允許無限次讀寫循�(huán),適合頻繁寫入數(shù)�(jù)的環(huán)境�
  5. 低功耗:與傳�(tǒng)� EEPROM 或閃存相�,DS1230AB-150+ 在寫入數(shù)�(jù)時消耗更少的能量�

�(yīng)�

DS1230AB-150+ 廣泛�(yīng)用于對數(shù)�(jù)完整性要求較高的場景,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. 工業(yè)控制:用于實時數(shù)�(jù)記錄和斷電保��
  2. �(yī)療設(shè)備:如監(jiān)護儀、血糖儀等需要頻繁存儲關(guān)鍵數(shù)�(jù)的場��
  3. 計量儀表:如智能電表、水表和燃氣表等,用于記錄使用數(shù)�(jù)并防止數(shù)�(jù)丟失�
  4. 消費電子:例如數(shù)碼相�、便攜式音頻播放器等需要可靠存儲的�(yīng)��
  5. 通信系統(tǒng):在�(wǎng)�(luò)路由�、交換機中用作配置存儲和日志記錄�

替代型號

DS1230A-150+, DS1230B-150+, DS1231C

ds1230ab-150+推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
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ds1230ab-150+資料 更多>

  • 型號
  • 描述
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ds1230ab-150+參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊Lead (SnPb) Finish for COTSObsolescence Mitigation Program
  • 標準包裝12
  • 類別集成電路 (IC)
  • 家庭存儲�
  • 系列-
  • 格式 - 存儲�RAM
  • 存儲器類�NVSRAM(非易失 SRAM�
  • 存儲容量256K (32K x 8)
  • 速度150ns
  • 接口并聯(lián)
  • 電源電壓4.75 V ~ 5.25 V
  • 工作溫度0°C ~ 70°C
  • 封裝/外殼28-DIP 模塊�0.600"�15.24mm�
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�28-EDIP
  • 包裝管件