DS1230AB-70 � Maxim Integrated 生產(chǎn)的一款非易失� SRAM (NVSRAM) 芯片,它�(jié)合了靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)� (SRAM) 和非易失性存�(chǔ)功能。該芯片能夠在斷電時(shí)通過(guò)�(nèi)部的 EEPROM 自動(dòng)保存 SRAM �(shù)�(jù),并在重新上電后恢復(fù)�(shù)�(jù)。這種特性使其非常適合需要高可靠�、快速訪�(wèn)和數(shù)�(jù)持久性的�(yīng)用場(chǎng)��
DS1230AB-70 提供了一�(gè) 32Kb � SRAM 存儲(chǔ)空間�4096 字節(jié)�,并集成了一�(gè)鋰離子電池或外部超級(jí)電容接口以支�?jǐn)?shù)�(jù)保護(hù)。此外,它還具有自動(dòng)�(shù)�(jù)備份功能,在檢測(cè)到電源故障時(shí)能夠�(wú)縫切換到非易失性模��
存儲(chǔ)容量�32Kb (4096 字節(jié))
工作電壓�1.8V � 5.5V
�(shù)�(jù)保持�(shí)間:10 年(使用鋰電池)
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
封裝形式:SOIC-8, DIP-8
�(xiě)入周期:�(wú)需額外�(xiě)入時(shí)間(SRAM 操作�
�(shù)�(jù)保留:通過(guò)�(nèi)� EEPROM �(shí)�(xiàn)
功耗:低功耗待�(jī)模式
DS1230AB-70 具有以下主要特性:
1. 高� SRAM 訪問(wèn)速度,典型值為 70ns�
2. �(nèi)置非易失性存�(chǔ)功能,斷電時(shí)自動(dòng)保存 SRAM �(shù)�(jù)�
3. 支持多種電源管理選項(xiàng),包括外部電容或鋰電池供��
4. 寬工作電壓范圍,適合多種�(yīng)用環(huán)��
5. 小型封裝�(shè)�(jì),易于集成到緊湊型系�(tǒng)中�
6. 高可靠性設(shè)�(jì),確保數(shù)�(jù)完整性和�(zhǎng)期存�(chǔ)能力�
7. 工業(yè)�(jí)工作溫度范圍,適�(yīng)惡劣�(huán)境下的操作需求�
DS1230AB-70 的典型應(yīng)用領(lǐng)域包括:
1. 工業(yè)控制�(shè)備中的配置和狀�(tài)�(shù)�(jù)存儲(chǔ)�
2. �(yī)療設(shè)備中的關(guān)鍵參�(shù)記錄�
3. 通信系統(tǒng)中的�(shí)�(shí)�(shù)�(jù)緩沖與保��
4. 儀表儀器的�(shù)�(jù)采集與日志記錄�
5. 嵌入式系�(tǒng)中的臨時(shí)�(shù)�(jù)存儲(chǔ)及掉電保�(hù)�
6. 物聯(lián)�(wǎng)�(shè)備中的小型化�(shù)�(jù)存儲(chǔ)解決方案�
由于其非易失性和高速性能,DS1230AB-70 在需要頻繁讀�(xiě)且要求數(shù)�(jù)持久性的�(chǎng)景下表現(xiàn)尤為出色�
DS1230Y-50, DS1230A-70, CY14B101MN, AT24C02