DS1230AB-70 時(shí)間：2025/6/6 19:53:06 閱讀：8

DS1230AB-70 是 Maxim Integrated 生產(chǎn)的一款非易失性 SRAM (NVSRAM) 芯片，它結(jié)合了靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (SRAM) 和非易失性存儲(chǔ)功能。該芯片能夠在斷電時(shí)通過(guò)內(nèi)部的 EEPROM 自動(dòng)保存 SRAM 數(shù)據(jù)，并在重新上電后恢復(fù)數(shù)據(jù)。這種特性使其非常適合需要高可靠性、快速訪問(wèn)和數(shù)據(jù)持久性的應(yīng)用場(chǎng)景。
　　DS1230AB-70 提供了一個(gè) 32Kb 的 SRAM 存儲(chǔ)空間（4096 字節(jié)），并集成了一個(gè)鋰離子電池或外部超級(jí)電容接口以支持?jǐn)?shù)據(jù)保護(hù)。此外，它還具有自動(dòng)數(shù)據(jù)備份功能，在檢測(cè)到電源故障時(shí)能夠無(wú)縫切換到非易失性模式。

參數(shù)

存儲(chǔ)容量：32Kb (4096 字節(jié))
　　工作電壓：1.8V 至 5.5V
　　數(shù)據(jù)保持時(shí)間：10 年（使用鋰電池）
　　工作溫度范圍：-40°C 至 +85°C
　　封裝形式：SOIC-8, DIP-8
　　寫(xiě)入周期：無(wú)需額外寫(xiě)入時(shí)間（SRAM 操作）
　　數(shù)據(jù)保留：通過(guò)內(nèi)部 EEPROM 實(shí)現(xiàn)
　　功耗：低功耗待機(jī)模式

特性

DS1230AB-70 具有以下主要特性：
　　1. 高速 SRAM 訪問(wèn)速度，典型值為 70ns。
　　2. 內(nèi)置非易失性存儲(chǔ)功能，斷電時(shí)自動(dòng)保存 SRAM 數(shù)據(jù)。
　　3. 支持多種電源管理選項(xiàng)，包括外部電容或鋰電池供電。
　　4. 寬工作電壓范圍，適合多種應(yīng)用環(huán)境。
　　5. 小型封裝設(shè)計(jì)，易于集成到緊湊型系統(tǒng)中。
　　6. 高可靠性設(shè)計(jì)，確保數(shù)據(jù)完整性和長(zhǎng)期存儲(chǔ)能力。
　　7. 工業(yè)級(jí)工作溫度范圍，適應(yīng)惡劣環(huán)境下的操作需求。

應(yīng)用

DS1230AB-70 的典型應(yīng)用領(lǐng)域包括：
　　1. 工業(yè)控制設(shè)備中的配置和狀態(tài)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
　　2. 醫(yī)療設(shè)備中的關(guān)鍵參數(shù)記錄。
　　3. 通信系統(tǒng)中的實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)緩沖與保存。
　　4. 儀表儀器的數(shù)據(jù)采集與日志記錄。
　　5. 嵌入式系統(tǒng)中的臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)及掉電保護(hù)。
　　6. 物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備中的小型化數(shù)據(jù)存儲(chǔ)解決方案。
　　由于其非易失性和高速性能，DS1230AB-70 在需要頻繁讀寫(xiě)且要求數(shù)據(jù)持久性的場(chǎng)景下表現(xiàn)尤為出色。