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DS1230Y-100+ 發(fā)布時間 時間�2025/5/9 9:35:04 查看 閱讀�20

DS1230Y-100+ 是一款由 Maxim Integrated 生產(chǎn)的非易失� SRAM (NVSRAM) 芯片。該芯片結合了靜�(tài)隨機存取存儲� (SRAM) 和非易失性存儲技術,能夠在系�(tǒng)斷電時通過�(nèi)部的 EEPROM 自動保存 SRAM 中的�(shù)�(jù)。它具有高可靠性、低功耗和快速訪問時間等特點,廣泛應用于需要數(shù)�(jù)保護和快速存取的工業(yè)、醫(yī)療及通信領域�
  DS1230Y-100+ 提供 32K x 8 位的存儲容量,并支持 I2C 接口進行�(shù)�(jù)傳輸。其封裝形式� SOIC-8 � TSSOP-8,適用于多種電路設計�(huán)��

參數(shù)

存儲容量�32K x 8�
  工作電壓�1.8V � 5.5V
  接口類型:I2C
  工作溫度范圍�-40°C � +85°C
  �(shù)�(jù)保持時間:超�10�
  寫入周期:無限制
  封裝形式:SOIC-8, TSSOP-8

特�

DS1230Y-100+ 具有以下主要特性:
  1. 非易失� SRAM 技�,確保在斷電情況下數(shù)�(jù)不丟��
  2. �(nèi)置電池備份功能(可選�,進一步增強數(shù)�(jù)安全性�
  3. 支持高達 1MHz � I2C 快速模式通信,適合高速應��
  4. 自動�(shù)�(jù)保存功能,在電源故障時無需額外指令即可保存 SRAM �(shù)�(jù)�
  5. 高可靠性和長壽�,能夠承受多次讀寫操作而不降低性能�
  6. 小型封裝選項,便于集成到緊湊型設計中�

應用

DS1230Y-100+ 廣泛應用于需要高可靠性數(shù)�(jù)存儲和快速訪問的應用場景,包括但不限于:
  1. 工業(yè)自動化設備中的數(shù)�(jù)記錄與配置存��
  2. �(yī)療設備中的患者數(shù)�(jù)保存和日志記��
  3. 通信系統(tǒng)中的臨時�(shù)�(jù)緩存和斷電保��
  4. 消費類電子產(chǎn)品中的設置參�(shù)保存�
  5. 嵌入式系�(tǒng)的實時數(shù)�(jù)備份與恢��

替代型號

DS1230Y-100, DS1230Z-100+

ds1230y-100+推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
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ds1230y-100+資料 更多>

  • 型號
  • 描述
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ds1230y-100+參數(shù)

  • �(chǎn)品培訓模�Lead (SnPb) Finish for COTSObsolescence Mitigation Program
  • 標準包裝12
  • 類別集成電路 (IC)
  • 家庭存儲�
  • 系列-
  • 格式 - 存儲�RAM
  • 存儲器類�NVSRAM(非易失 SRAM�
  • 存儲容量256K (32K x 8)
  • 速度100ns
  • 接口并聯(lián)
  • 電源電壓4.5 V ~ 5.5 V
  • 工作溫度0°C ~ 70°C
  • 封裝/外殼28-DIP 模塊�0.600"�15.24mm�
  • 供應商設備封�28-EDIP
  • 包裝管件