DS1230Y-100+ 是一款由 Maxim Integrated 生產(chǎn)的非易失� SRAM (NVSRAM) 芯片。該芯片結合了靜�(tài)隨機存取存儲� (SRAM) 和非易失性存儲技術,能夠在系�(tǒng)斷電時通過�(nèi)部的 EEPROM 自動保存 SRAM 中的�(shù)�(jù)。它具有高可靠性、低功耗和快速訪問時間等特點,廣泛應用于需要數(shù)�(jù)保護和快速存取的工業(yè)、醫(yī)療及通信領域�
DS1230Y-100+ 提供 32K x 8 位的存儲容量,并支持 I2C 接口進行�(shù)�(jù)傳輸。其封裝形式� SOIC-8 � TSSOP-8,適用于多種電路設計�(huán)��
存儲容量�32K x 8�
工作電壓�1.8V � 5.5V
接口類型:I2C
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
�(shù)�(jù)保持時間:超�10�
寫入周期:無限制
封裝形式:SOIC-8, TSSOP-8
DS1230Y-100+ 具有以下主要特性:
1. 非易失� SRAM 技�,確保在斷電情況下數(shù)�(jù)不丟��
2. �(nèi)置電池備份功能(可選�,進一步增強數(shù)�(jù)安全性�
3. 支持高達 1MHz � I2C 快速模式通信,適合高速應��
4. 自動�(shù)�(jù)保存功能,在電源故障時無需額外指令即可保存 SRAM �(shù)�(jù)�
5. 高可靠性和長壽�,能夠承受多次讀寫操作而不降低性能�
6. 小型封裝選項,便于集成到緊湊型設計中�
DS1230Y-100+ 廣泛應用于需要高可靠性數(shù)�(jù)存儲和快速訪問的應用場景,包括但不限于:
1. 工業(yè)自動化設備中的數(shù)�(jù)記錄與配置存��
2. �(yī)療設備中的患者數(shù)�(jù)保存和日志記��
3. 通信系統(tǒng)中的臨時�(shù)�(jù)緩存和斷電保��
4. 消費類電子產(chǎn)品中的設置參�(shù)保存�
5. 嵌入式系�(tǒng)的實時數(shù)�(jù)備份與恢��
DS1230Y-100, DS1230Z-100+