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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > DS1230Y-70IND

DS1230Y-70IND 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/27 8:47:02 查看 閱讀�34

DS1230Y-70IND 是一款由 Maxim Integrated 生產(chǎn)的非易失性靜�(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)� (NVSRAM)。該芯片�(jié)合了高� SRAM 和非易失性鐵電存�(chǔ)� (FRAM) 的特性,能夠在斷電時(shí)自動(dòng)保存�(shù)�(jù),無需額外的電池或超級(jí)電容支持�
  這款芯片廣泛�(yīng)用于需要高可靠�、快速寫入和�(zhǎng)期數(shù)�(jù)保存的工�(yè)、醫(yī)療和通信�(shè)備中�

參數(shù)

容量�32K x 8 bits
  接口:并行接�
  工作電壓�4.5V � 5.5V
  工作溫度范圍�-40°C � +85°C
  封裝形式�32 引腳 SOIC
  存取�(shí)間:70ns
  非易失性:斷電后數(shù)�(jù)可保存超�10�
  寫入次數(shù):高�(dá)10^12�

特�

DS1230Y-70IND 具有高速存取能�,其存取�(shí)間為 70 納秒,適用于需要實(shí)�(shí)�(shù)�(jù)處理的應(yīng)用場(chǎng)��
  該芯片內(nèi)置了非易失性存�(chǔ)單元,當(dāng)主電源斷開時(shí),數(shù)�(jù)�(huì)自動(dòng)�(zhuǎn)移到非易失性存�(chǔ)區(qū)�,確保數(shù)�(jù)完整性�
  此外,它還具有低功耗特性,在待�(jī)模式下的電流消耗極�,適合對(duì)功耗敏感的�(shè)備使用�
  由于其高耐久性和�(zhǎng)壽命特點(diǎn),該芯片非常適合頻繁寫入操作的環(huán)�,例如數(shù)�(jù)記錄儀、儀表系�(tǒng)和嵌入式控制器等�

�(yīng)�

DS1230Y-70IND 常用于需要可靠數(shù)�(jù)保護(hù)和頻繁數(shù)�(jù)更新的場(chǎng)�,如工業(yè)自動(dòng)化控制中的數(shù)�(jù)日志記錄、醫(yī)療設(shè)備中的患者信息存�(chǔ)以及通信系統(tǒng)中的配置參數(shù)保存�
  具體�(yīng)用包括但不限于:
  - �(shù)�(jù)采集與監(jiān)控系�(tǒng)
  - �(yī)療器械,例如�(jiān)�(hù)儀和分析儀
  - 電力�(jì)量設(shè)�
  - 航空航天�(lǐng)�
  - 防護(hù)等級(jí)較高的安全模�
  該芯片的高可靠性使得它成為�(guān)鍵任�(wù)系統(tǒng)的理想選��

替代型號(hào)

DS1230Y-100IND
  DS1230Y-50IND

ds1230y-70ind推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

ds1230y-70ind資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

ds1230y-70ind參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝12
  • 類別集成電路 (IC)
  • 家庭存儲(chǔ)�
  • 系列-
  • 格式 - 存儲(chǔ)�RAM
  • 存儲(chǔ)器類�NVSRAM(非易失 SRAM�
  • 存儲(chǔ)容量256K (32K x 8)
  • 速度70ns
  • 接口并聯(lián)
  • 電源電壓4.5 V ~ 5.5 V
  • 工作溫度-40°C ~ 85°C
  • 封裝/外殼28-DIP 模塊�0.600"�15.24mm�
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�28-EDIP
  • 包裝管件
  • 其它名稱DS1230Y70IND