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DS1248Y-100IND+ 發(fā)布時間 時間�2025/5/15 11:32:00 查看 閱讀�14

DS1248Y-100IND+ � Maxim Integrated 生產(chǎn)的一種非易失性靜�(tài)隨機存取存儲器(NVSRAM),它結(jié)合了高� SRAM 和非易失性存儲技�(shù),能夠在斷電時保留數(shù)�(jù)。該器件具有快速寫�、低功耗和高可靠性的特點,廣泛應(yīng)用于需要頻繁數(shù)�(jù)記錄和斷電保護的場景�
  DS1248Y-100IND+ �(nèi)部集成了一個鋰薄片電池作為后備電源,在主電源中斷時能夠確保�(shù)�(jù)完整保存。此�,它支持標準的同� SRAM 接口,方便與各種微控制器和處理器連接�

參數(shù)

容量�512Kb�64K x 8�
  工作電壓�3.3V � 5V
  �(shù)�(jù)保持時間�10 年(典型值)
  工作溫度范圍�-40°C � +85°C
  封裝形式�44 引腳 TSOP-II
  訪問時間�70ns
  備份電池類型:鋰薄片電池

特�

DS1248Y-100IND+ 具有以下顯著特性:
  1. 非易失性存儲功能:通過集成的鋰薄片電池,在主電源失效時能夠自動切換到后備電源以保護�(shù)�(jù)�
  2. 高速性能:支持標準同� SRAM 接口,訪問時間低� 70ns,滿足實時應(yīng)用需��
  3. 長壽命設(shè)計:�(nèi)部電池提供長� 10 年的�(shù)�(jù)保持能力,適用于長期運行的系�(tǒng)�
  4. 可靠性高:經(jīng)過嚴格的測試和驗�,能夠在工業(yè)級溫度范圍內(nèi)�(wěn)定工��
  5. 簡化�(shè)計:無需外部 EEPROM 或閃�,減少了電路�(fù)雜度和成本�
  6. 易于使用:兼容傳�(tǒng)� SRAM 接口�(xié)�,便于嵌入現(xiàn)有系�(tǒng)架構(gòu)�

�(yīng)�

該芯片適合用于對�(shù)�(jù)安全性和可靠性要求較高的場景,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. 工業(yè)控制:如 PLC、DCS 系統(tǒng)中的參數(shù)配置和狀�(tài)記錄�
  2. 儀表設(shè)備:電力、醫(yī)�、環(huán)境監(jiān)測儀器中的關(guān)鍵數(shù)�(jù)存儲�
  3. 通信�(wǎng)�(luò):路由器、交換機等網(wǎng)�(luò)�(shè)備的日志記錄和設(shè)置保��
  4. 汽車電子:車載信息娛樂系�(tǒng)和診斷工具中的歷史數(shù)�(jù)管理�
  5. 安防�(jiān)控:視頻錄像機和門禁系�(tǒng)中的事件記錄功能�
  6. 物聯(lián)�(wǎng)終端:智能傳感器節(jié)點的狀�(tài)備份和運行日��

替代型號

DS1248Y-100GJC+, DS1248Y-100GKC+, DS1248Y-100TIC+

ds1248y-100ind+推薦供應(yīng)� 更多>

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