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DS1249Y-070+ 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/4/28 16:48:25 查看 閱讀：21

DS1249Y-070+ 是 Maxim Integrated 生產(chǎn)的一款非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (NVSRAM)，結(jié)合了 SRAM 的高速性能和非易失性存儲(chǔ)的特性。它具有集成的鋰電池，能夠在外部電源斷開(kāi)時(shí)保持?jǐn)?shù)據(jù)完整性。
　　該芯片廣泛應(yīng)用于需要實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)及斷電后數(shù)據(jù)保護(hù)的場(chǎng)景，例如工業(yè)自動(dòng)化、醫(yī)療設(shè)備、通信系統(tǒng)和數(shù)據(jù)記錄儀等64K x 8 bits
　　工作電壓：3.0V 至 5.5V
　　待機(jī)電流：小于5μA（典型值）
　　寫(xiě)入時(shí)間：無(wú)需寫(xiě)入周期，即時(shí)寫(xiě)入
　　數(shù)據(jù)保存時(shí)間：超過(guò)10年（在電池支持下）
　　工作溫度范圍：-40°C 至 +85°C
　　封裝形式：28-pin SOP

特性

DS1249Y-070+ 具有高可靠性，其 NVSRAM 技術(shù)允許用戶(hù)以 SRAM 的速度進(jìn)行數(shù)據(jù)操作，同時(shí)通過(guò)內(nèi)置鋰電池確保數(shù)據(jù)在斷電時(shí)不會(huì)丟失。
　　芯片內(nèi)部集成了一個(gè)精準(zhǔn)的電源監(jiān)控電路，可自動(dòng)檢測(cè)主電源狀態(tài)并在必要時(shí)切換到電池供電模式。
　　此外，DS1249Y-070+ 提供了硬件寫(xiě)保護(hù)功能，防止意外寫(xiě)入或篡改數(shù)據(jù)。
　　它還具有較低的功耗設(shè)計(jì)，使得在待機(jī)模式下的電流消耗極小，非常適合對(duì)能耗敏感的應(yīng)用場(chǎng)景。

應(yīng)用

該芯片適用于多種需要快速讀寫(xiě)和非易失性存儲(chǔ)的應(yīng)用場(chǎng)景，包括但不限于：
　　1. 工業(yè)控制中的數(shù)據(jù)記錄與配置存儲(chǔ)
　　2. 醫(yī)療儀器的狀態(tài)和校準(zhǔn)信息保存
　　3. 計(jì)量表（如水表、電表）的數(shù)據(jù)采集與存儲(chǔ)
　　4. 通信設(shè)備的運(yùn)行日志記錄
　　5. 數(shù)據(jù)記錄儀和黑匣子類(lèi)設(shè)備中關(guān)鍵數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)

替代型號(hào)

DS1248Y-070+, DS1249C-070+, CY14B101MN, MR25H256

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