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DS1249Y-100IND+ 發(fā)布時間 時間�2025/5/23 8:59:05 查看 閱讀�11

DS1249Y-100IND+ � Maxim Integrated 公司生產(chǎn)的一款非易失性靜�(tài)隨機存取存儲� (NVSRAM),它�(jié)合了高� SRAM 和非易失性存儲功�,能夠在系統(tǒng)斷電時自動將 SRAM �(shù)�(jù)保存到非易失性存儲單元中�
  這種特性使� DS1249Y-100IND+ 成為需要高可靠性和快速數(shù)�(jù)訪問的工�(yè)、醫(yī)療和通信�(yīng)用的理想選擇。其非易失性數(shù)�(jù)保護通過�(nèi)置電容器實現(xiàn),在外部電源中斷時提供足夠的能量來保存數(shù)�(jù)�

參數(shù)

容量�512Kb�64K x 8�
  接口:并�
  工作電壓�3V � 5.5V
  工作溫度�-40°C � +85°C
  封裝類型�44 引腳 TSOP II
  �(shù)�(jù)保持時間�10年(典型值)
  寫入/讀取周期:70ns
  待機電流�2μA(最大�,典型� 1μA�
  工作電流�25mA(最大值)

特�

DS1249Y-100IND+ 提供高性能� SRAM 存儲能力,并具備非易失性存儲的�(yōu)��
  1. 高速性能:該芯片支持 70ns 的訪問速度,適合對延遲敏感的應(yīng)用場��
  2. 自動�(shù)�(jù)保護:當(dāng)檢測到電源故障時,內(nèi)置電路會自動� SRAM 中的�(shù)�(jù)�(zhuǎn)移到非易失性存儲單元,無需軟件干預(yù)�
  3. �(nèi)置電容:不需要外部電池支持,簡化了設(shè)計并提高了可靠��
  4. 寬工作電壓范圍:兼容 3V � 5V 系統(tǒng),適�(yīng)性強�
  5. 耐用性:具有超過 10 年的�(shù)�(jù)保留能力和超� 1 百萬次的擦寫周期,確保長期使��
  6. 小型封裝:采� 44 引腳 TSOP II 封裝,節(jié)� PCB 空間�

�(yīng)�

DS1249Y-100IND+ 適用于需要在掉電情況下保護關(guān)鍵數(shù)�(jù)的應(yīng)用領(lǐng)��
  1. 工業(yè)自動化:� PLC � HMI �(shè)備中的配置數(shù)�(jù)和運行狀�(tài)記錄�
  2. �(yī)療設(shè)備:例如�(jiān)護儀和診斷儀器的患者數(shù)�(jù)存儲�
  3. 通信�(shè)備:用于�(wǎng)�(luò)路由器和交換機的�(guān)鍵配置參�(shù)保存�
  4. 測量儀器:如數(shù)�(jù)采集系統(tǒng)和測試設(shè)備中的校準數(shù)�(jù)和測量結(jié)果存��
  5. 汽車電子:可用于事件�(shù)�(jù)記錄器(EDR)以保存事故前后的車輛狀�(tài)信息�

替代型號

DS1248Y-100IND+, CY14B104Q, FRAM MB85RC64TA

ds1249y-100ind+推薦供應(yīng)� 更多>

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