DS1249Y-200IND+ � Maxim Integrated 公司生產(chǎn)的非易失性靜�(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)� (NVSRAM) 芯片。它�(jié)合了高� SRAM 和非易失性鐵電存�(chǔ)� (FRAM) 的特性,能夠在斷電時(shí)自動(dòng)保存�(shù)�(jù),并在上電時(shí)恢復(fù)。該芯片適用于需要高可靠性和快速數(shù)�(jù)記錄的應(yīng)用場(chǎng)��
DS1249Y-200IND+ 提供� 512Kb�64KB)的存儲(chǔ)容量,采用標(biāo)�(zhǔn) SPI 接口�(jìn)行通信。其�(shè)�(jì)確保了數(shù)�(jù)在斷電情況下不會(huì)丟失,同�(shí)支持�(wú)限次讀�(xiě)操作,避免了傳統(tǒng) EEPROM 或閃存可能存在的�(xiě)入疲勞問(wèn)��
存儲(chǔ)容量�512Kb�64KB�
接口�(lèi)型:SPI
工作電壓�1.8V � 3.6V
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
封裝形式:SOIC-8
�(shù)�(jù)保持�(shí)間:超過(guò)10�
讀�(xiě)次數(shù):無(wú)限次
DS1249Y-200IND+ 具有以下顯著特性:
1. 高速性能:支持高�(dá) 20MHz � SPI �(shí)鐘頻率,可實(shí)�(xiàn)快速數(shù)�(jù)傳輸�
2. 自動(dòng)�(shù)�(jù)保護(hù):內(nèi)置電源管理電路,在檢�(cè)到掉電情況時(shí)�(huì)自動(dòng)� SRAM �(shù)�(jù)備份� FRAM ��
3. 非易失性存�(chǔ):無(wú)需外部電池即可在斷電后保存�(shù)�(jù)�
4. 低功耗設(shè)�(jì):待�(jī)模式下的電流消耗極�,非常適合便攜式或低功耗應(yīng)��
5. �(jiǎn)化的系統(tǒng)�(shè)�(jì):通過(guò)集成 FRAM � SRAM,減少了�(duì)外部組件的需�,降低了�(shè)�(jì)�(fù)雜度�
6. 可靠性高:支持無(wú)限次讀�(xiě)循環(huán),適合頻繁更新數(shù)�(jù)的應(yīng)用環(huán)境�
該芯片廣泛應(yīng)用于多種�(lǐng)�,包括但不限于:
1. 工業(yè)控制:用于數(shù)�(jù)日志記錄、配置參�(shù)保存��
2. �(yī)療設(shè)備:如監(jiān)�(hù)儀、血糖儀�,用以存�(chǔ)�(guān)鍵測(cè)量數(shù)�(jù)�
3. �(jì)�?jī)x器:如智能電�、水表等,保存累積使用量信息�
4. 消費(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品:例如打印�(jī)、掃描儀中的固件和臨�(shí)�(shù)�(jù)存儲(chǔ)�
5. 汽車(chē)電子:記錄車(chē)輛運(yùn)行狀�(tài)或故障診斷信��
6. 通信�(shè)備:在網(wǎng)�(luò)�(shè)備中存儲(chǔ)�(wǎng)�(luò)配置或狀�(tài)信息�
DS1248Y-200IND+, DS1249C-200IND+