DS26LS32ME/883 是一種高性能、高可靠性的軍用級四路雙輸入與非門(NAND Gate)集成電�。該芯片專為惡劣�(huán)境下的關(guān)鍵任�(wù)�(yīng)用設(shè)�,具有優(yōu)異的抗輻射能力以及寬溫度范圍工作特�?;?NMOS 技�(shù)制造,適用于需要高�(wěn)定性和長期可靠性的系統(tǒng),例如航空電子設(shè)�、衛(wèi)星通信和軍事控制領(lǐng)��
該器件符� MIL-PRF-38534 �(biāo)�(zhǔn),確保其在極端溫�、振動和輻射條件下的性能表現(xiàn)�
邏輯功能:四路雙輸入與非門
工藝技�(shù):NMOS
工作電壓范圍�4.5V � 5.5V
傳播延遲時間:最� 10ns
工作溫度范圍�-55°C � +125°C
封裝形式:陶� DIP 或扁平封�
引腳�(shù)量:14
靜態(tài)電流:最� 20mA
輸出電流(高電平/低電平)�+8mA / -16mA
1. 軍用級可靠�,滿� MIL-STD-883 和其他相�(guān)軍標(biāo)要求�
2. 極寬的工作溫度范圍(-55°C � +125°C�,適合極端環(huán)境使��
3. 抗輻射加固設(shè)�,能夠在高輻射環(huán)境下保持正常工作�
4. 快速傳播延遲時間(最� 10ns�,提供高效的邏輯處理速度�
5. 高驅(qū)動能力,能夠直接�(qū)動多個負(fù)載或下一級邏輯電��
6. 緊湊型陶瓷封裝,具有良好的熱傳導(dǎo)和電氣絕緣性能�
7. 靜態(tài)功耗低,有助于降低系統(tǒng)的整體能耗�
8. 可靠的電氣保護機�,防止靜電放電(ESD)和瞬態(tài)電壓沖擊對芯片造成損害�
1. 航空航天器中的數(shù)�(jù)處理和控制單元�
2. �(wèi)星通信系統(tǒng)中的信號處理模塊�
3. 軍事裝備中的嵌入式處理器及控制系�(tǒng)�
4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的高可靠性邏輯電路�
5. 核電站等高輻射環(huán)境中的監(jiān)控與控制裝置�
6. �(yī)療成像設(shè)備中的高速數(shù)�(jù)傳輸與處理部��
7. 地震探測儀器和其他惡劣條件下工作的科學(xué)測量�(shè)��
SN54LS32A
MC14LS32
DM74LS32